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      Investigation of Ru/SiGe Interfacial Reactions and Electrical Properties for Low-Resistance Contact

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      https://www.riss.kr/link?id=T17291308

      • 저자
      • 발행사항

        서울 : 한양대학교 대학원, 2025

      • 학위논문사항

        학위논문(석사) -- 한양대학교 대학원 , 신소재공학과 , 2025. 8

      • 발행연도

        2025

      • 작성언어

        영어

      • 주제어
      • 발행국(도시)

        서울

      • 형태사항

        ; 26 cm

      • 일반주기명

        지도교수: 안진호

      • UCI식별코드

        I804:11062-200000893203

      • 소장기관
        • 한양대학교 중앙도서관 소장기관정보
      • ※ 해당 논문은 저작자의 요청에 따라 [원문보기]가 제공되지 않습니다.

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      목차 (Table of Contents)

      • List of Figures iii
      • List of Tables vi
      • List of Equations vii
      • ABSTRACT viii
      • Chapter 1. Introduction 1
      • List of Figures iii
      • List of Tables vi
      • List of Equations vii
      • ABSTRACT viii
      • Chapter 1. Introduction 1
      • 1.1 Scaling challenges in DRAM Technology 1
      • 1.2 Transition from 2D DRAM to 3D DRAM 3
      • 1.3 Objective of this study 4
      • Chapter 2. Background 6
      • 2.1 3D DRAM and low resistance interconnection 6
      • 2.2 Metal-semiconductor contact 10
      • 2.3 Ruthenium 12
      • 2.4 Silicon Germanium 15
      • Chapter 3. Experimental details 18
      • 3.1 Contact string module design and structure 18
      • 3.2 Fabrication of contact string module 21
      • 3.3 Electrical characterization 23
      • 3.4 Material characteristics 24
      • 3.5 Thermal treatment 24
      • Chapter 4. Results and discussion 25
      • 4.1 Contact resistance characteristics 25
      • 4.1.1. Contact resistance measurement 25
      • 4.1.2. Contact resistance of W and Ru/Si 28
      • 4.1.3. Contact resistance of Ru/Si1-xGex (x=0, 0.80) 30
      • 4.1.4. Contact resistance of Ru/Si1-xGex (x=0, 0.15, 0.30) 31
      • 4.2 Thermal impact on Ru/Si1-xGex interface 33
      • 4.2.1. Sheet resistance variation. 33
      • 4.2.2. XRD analysis 35
      • 4.2.3. XPS depth analysis in Ru/Si0.2Ge0.8 40
      • 4.3 Surface morphology at high temperature annealing 42
      • 4.3.1. Agglomeration Behavior of Ru/Si0.2Ge0.8 42
      • Chapter 5. Conclusion 44
      • References 46
      • 국문 요지 51
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