Fabrication and characterization of InGaAs field effect transistors with selective source/drain regrowth process for future logic and RF application|RISS 상세보기

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저자

이인근
발행사항
[Seoul] : Graduate School, Yonsei University, 2021
학위논문사항

학위논문(박사) -- Graduate School, Yonsei University , Department of Materials Science and Engineering , 2021.8
발행연도
2021
작성언어
영어
발행국(도시)
서울
기타서명
선택적 소스/드레인 재성장 기술을 적용한 인듐갈륨비소 채널 전계효과트랜지스터의 제조 및 특성화
형태사항
ix, 127 p. : 삽화 ; 26 cm
일반주기명

지도교수: Dae-Hong Ko
UCI식별코드
I804:11046-000000539085
소장기관
- 연세대학교 학술문화처 도서관
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