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    SAM 과 PEDOT:PSS layers을 이용한 Schottky Diode 의 Ohmic Contact 향상에 관한 연구 = Study on ohmic contact improvement of schottky diode utilizing SAM and PEDOT:PSS layers

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    https://www.riss.kr/link?id=T11967499

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    본 연구에서 우리는 ink-jet 공정으로 6,13-bis(triisopropyl-silylethynyl) pentacene (TIPS-pentacene)를 print 하여 organic schottky diode를 제작하였다. 또한 reference 용 shottky diode 는 pentacene를 증착하여 제작하였으며, 2,3,4,5,6-pentafluorobenzenethiol 의 self-assembled monolayer (SAM) 혹은 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) layer를 Au 와 pentacene 사이에 삽입함으로 ohmic contact 에 변화를 주었다. 이들 schottky diode 는 모두 flexible 한 polyethersulfone(PES)를 기판으로 사용하였다. 본 연구진은 이들의 특성 분석을 위해, active layer 표면의 물리적 특성 측정과 함께 schottky diode의 전기적 특성을 측정하였다. 이들 측정을 통해서, ohmic contact 의 향상을 분석하였으며, 용액공정을 사용한 schottky diode 의 특성 또한 분석하였다.
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    본 연구에서 우리는 ink-jet 공정으로 6,13-bis(triisopropyl-silylethynyl) pentacene (TIPS-pentacene)를 print 하여 organic schottky diode를 제작하였다. 또한 reference 용 shottky diode 는 pentacene를 증착하여 제작하였으...

    본 연구에서 우리는 ink-jet 공정으로 6,13-bis(triisopropyl-silylethynyl) pentacene (TIPS-pentacene)를 print 하여 organic schottky diode를 제작하였다. 또한 reference 용 shottky diode 는 pentacene를 증착하여 제작하였으며, 2,3,4,5,6-pentafluorobenzenethiol 의 self-assembled monolayer (SAM) 혹은 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) layer를 Au 와 pentacene 사이에 삽입함으로 ohmic contact 에 변화를 주었다. 이들 schottky diode 는 모두 flexible 한 polyethersulfone(PES)를 기판으로 사용하였다. 본 연구진은 이들의 특성 분석을 위해, active layer 표면의 물리적 특성 측정과 함께 schottky diode의 전기적 특성을 측정하였다. 이들 측정을 통해서, ohmic contact 의 향상을 분석하였으며, 용액공정을 사용한 schottky diode 의 특성 또한 분석하였다.

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    목차 (Table of Contents)

    • 제 1 장 서론 1
    • 1. 유기 전자 소자 연구 배경 및 중요성 1
    • 2. 유기 쇼트키 다이오드 연구 동향 3
    • 3. 연구 목적 6
    • 제 2 장 이론적 배경 8
    • 제 1 장 서론 1
    • 1. 유기 전자 소자 연구 배경 및 중요성 1
    • 2. 유기 쇼트키 다이오드 연구 동향 3
    • 3. 연구 목적 6
    • 제 2 장 이론적 배경 8
    • 1. Materials 8
    • 가. 유기반도체 8
    • 나. Pentacene & TIPS-Pentacene 10
    • 2. 유기 쇼트키 다이오드 13
    • 가. 유기 쇼트키 다이오드의 구조 13
    • 나. 유기 쇼트키 다이오드의 동작 원리 14
    • 다. 유기 쇼트키 다이오드의 전기적 특성 16
    • 3. 공정 기술 18
    • 가. 유기 박막 열 증착 18
    • 나. 잉크젯 프린트 19
    • 제 3 장 실험 방법 및 결과 21
    • 1. 실험 방법 21
    • 2. 유기 쇼트키 다이오드의 Ohmic 접촉 향상 24
    • 가. Active layer 표면의 물리적 특성 25
    • 나. 다이오드의 전기적 특성 27
    • 3. 잉크젯 프린트 유기 쇼트키 다이오드 31
    • 가. Active layer 표면의 물리적 특성 31
    • 나. 다이오드의 전기적 특성 33
    • 제 4 장 결론 36
    • 참고문헌 37
    • ABSTRACT 40
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