본 연구에서 우리는 ink-jet 공정으로 6,13-bis(triisopropyl-silylethynyl) pentacene (TIPS-pentacene)를 print 하여 organic schottky diode를 제작하였다. 또한 reference 용 shottky diode 는 pentacene를 증착하여 제작하였으...

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
https://www.riss.kr/link?id=T11967499
서울 : 성균관대학교 일반대학원, 2010
학위논문(석사) -- 성균관대학교 일반대학원 , 전자전기컴퓨터공학과 , 2010. 2
2010
한국어
621.3 판사항(22)
서울
40 p. : 삽도, 챠트 ; 30 cm.
지도교수:정일섭
참고문헌 : p. 37-39.
0
상세조회0
다운로드본 연구에서 우리는 ink-jet 공정으로 6,13-bis(triisopropyl-silylethynyl) pentacene (TIPS-pentacene)를 print 하여 organic schottky diode를 제작하였다. 또한 reference 용 shottky diode 는 pentacene를 증착하여 제작하였으...
본 연구에서 우리는 ink-jet 공정으로 6,13-bis(triisopropyl-silylethynyl) pentacene (TIPS-pentacene)를 print 하여 organic schottky diode를 제작하였다. 또한 reference 용 shottky diode 는 pentacene를 증착하여 제작하였으며, 2,3,4,5,6-pentafluorobenzenethiol 의 self-assembled monolayer (SAM) 혹은 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) layer를 Au 와 pentacene 사이에 삽입함으로 ohmic contact 에 변화를 주었다. 이들 schottky diode 는 모두 flexible 한 polyethersulfone(PES)를 기판으로 사용하였다. 본 연구진은 이들의 특성 분석을 위해, active layer 표면의 물리적 특성 측정과 함께 schottky diode의 전기적 특성을 측정하였다. 이들 측정을 통해서, ohmic contact 의 향상을 분석하였으며, 용액공정을 사용한 schottky diode 의 특성 또한 분석하였다.
목차 (Table of Contents)