S확산에 의한 n+-p+ InP 태양전지의 제작 = The Fabrication of n+-p+ InP Solar Cells by the Diffusion of Sulphur

국문 초록 (Abstract)

p+형의 InP 기판(p=4×l0^(18)cm-³)에 일정 온도에서 S를 열 확산시켜 n+-p+ 접합을 형성하고, n+형 측에 사진식각법으로 폭 20㎛의 표면 격자상 전극을 300㎛ 간격으로 형성한 후, 반사방지 (AR) 막으로 600A˚ 두께의 SiO 박막을 증착시켜 크기 5×5×0.3㎣의 n+-p+ InP 동종접합 태양전지를 제작하였다.<br/>
S의 접합깊이는 약 0.4㎛이었으며, 제작된 태양전지는 확산시간이 증가함에 따라 단락전류 (J_(sc))가 증가하였고, 충진율(F.F)이 감소하였으며, 직렬저항 (R_s)과 에너지 변환효율 (Π)이 증가하는 경향을 나타냈다.<br/>
5,000-9,000A˚의 파장 영역에서 양호한 분광감도 특성을 나타냈으며, 단락전류, 개방전압 (V_(oc)), 충진율, 에너지 변환효율이 각각 13.16mA/㎠, 0.38V, 53.74%, 10.1%인 태양전지를 제작하였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

n+-p+ InP homojunction solar cells were fabricated by thermal diffusion of sulphur into a p+-InP wafer(p=4×10^(18)㎝-³), and a SiO film(600A˚ thick) was coated on the n+ layer as an antireflection(AR) coating by an e-beam evaporator. The volume of the cells were 5×5×0.3㎣. The front contact grids of the cells with 16 finger pattern of which width and space were 20㎛ and 300㎛ respectively, were formed by photolithography technique.<br/>
The junction depth of sulphur were as shallow as about 0.4㎛. We found out the fabricated solar cells that, with increasing the diffusion time, short circuit current densities(J_(sc)), series resistances(R_s) and energy conversion efficiencies(Π) were increased.<br/>
The cells show good spectral responses in the region of 5,000-9,000A˚. The short circuit current density, the open circuit voltage(V_(oc)), the fill factor(F.F) and the energy conversion efficiency of the cell were 13.16mA/㎤, 0.38V, 53.74% and 10.1% respectively.

목차 (Table of Contents)

• 요약
  
• ABSTRACT
  
• 1. 서론
  
• 2. 실험
  
• 3. 결과 및 논의
  
• 4. 결론
  
• REFERENCE