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High Performance HJFET MMIC with Embedded Gate Technology for Microwave and Millimeter-Wave IC's Using EB Lithography EMMIE)
Wakejima, A. INSTITUTE OF ELECTRONICS, INFORMATION & 1999 IEICE transactions on electronics Vol.82 No.11
Study of surface-trap-induced gate depletion region of field-modulating plate GaAs–FETs
Wakejima, A., Ota, K., Matsunaga, K. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2006 Solid-State Electronics Vol.50 No.3
280 W output power single-ended amplifier using single-die GaN-FET for W-CDMA cellular base stations
Wakejima, A., Matsunaga, K., Okamoto, Y., Ando, Y. IEE 2005 Electronics Letters Vol.41 No.18
Pulsed 0.75 kW output single-ended GaN-FET amplifier for L/S band applications
Wakejima, A., Nakayama, T., Ota, K., Okamoto, Y., IEE 2006 Electronics Letters Vol.42 No.23
High Power GaN-FET Amplifier with Reduced Memory Effects for W-CDMA Base Stations
Wakejima, A., Matsunaga, K., Ando, Y., Nakayama, T Tokyo:; IEICE, 2007 IEICE transactions on electronics Vol.90 No.5
370 W output power GaN-FET amplifier for W-CDMA cellular base stations
Wakejima, A., Matsunaga, K., Okamoto, Y., Ando, Y. IEE 2005 Electronics Letters Vol.41 No.25
C-Band GaAs FET Power Amplifiers With 70-W Output Power and 50% PAE for Satellite Communication Use
Wakejima, A., Asano, T., Hirano, T., Funabashi, M. IEEE; 1998 2005 IEEE journal of solid-state circuits Vol.40 No.10
Fluorine Diffusion and Accumulation in Si Step-doped InAlAs Layers
Wakejima, A.,Fujihara, A.,Onda, K. American Institute of Physics 1998 Applied Physics Letters Vol.73 No.17
Observation of cross-sectional electric field for GaN-based field effect transistor with field-modulating plate (3 pages)
Wakejima, A., Ota, K., Nakayama, T., Ando, Y., Oka AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2007 Applied Physics Letters Vol.90 No.21
P-221 RIGHT MIDDLE LOBE ATELECTASIS FOLLOWING COMPLETE VIDEO-ASSISTED THORACOSCOPIC RIGHT UPPER LOBECTOMY
Wakejima, R., Yamada, T., Kumata, S., Shinohara, S Oxford University Press 2017 INTERACTIVE CARDIO AND THORACIC SURGERY Vol.25//SUP1 No.-
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