RISS 처음 방문이세요?
학술연구정보서비스 검색
MyRISS
회원서비스
설정
About RISS
RISS 처음 방문 이세요?
고객센터
RISS 활용도 분석
최신/인기 학술자료
해외자료신청(E-DDS)
RISS API 센터
해외전자정보서비스 검색
Databases & Journals
해외전자자료 이용안내
해외전자자료 통계
http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
최근 검색 목록
통합검색 DB 원하는 DB만 선택하여 검색하실 수 있습니다.
A~C
D~L
M~W
- 해외DB품목별 바로가기 버튼()을 통하여 직접 접속 하시면, 접근 권한이 있는 이용자에 한해 DB별 검색 가능
- JCR, PML, ProQuest Central 품목은 체크박스에 개별 선택을 통한 제한 검색 불가
※ 구독기관 소속 이용자에 한하여 품목명 오른편의 바로가기 버튼() 으로 직접 접속이 가능하며, JCR은 통합검색 후 출력되는 화면 내에서도 이용 가능
개별검색 DB통합검색이 안되는 DB는 DB아이콘을 클릭하여 이용하실 수 있습니다.
전분야 전자저널
전분야 신문기사
교육분야
전분야
영어사전
법학분야
통계정보 및 조사/분석시스템
해외석박사학위논문 목록
해외석박사학위논문 원문
예술 / 패션
법률/뉴스정보(미국, 영연방)
법률/뉴스정보(일본)
법률/뉴스정보(중국)
법률/뉴스정보(프랑스)
<해외전자자료 이용권한 안내>
- 이용 대상 : RISS의 모든 해외전자자료는 교수, 강사, 대학(원)생, 연구원, 대학직원에 한하여(로그인 필수) 이용 가능
- 구독대학 소속 이용자: RISS 해외전자자료 통합검색 및 등록된 대학IP 대역 내에서 24시간 무료 이용
- 미구독대학 소속 이용자: RISS 해외전자자료 통합검색을 통한 오후 4시~익일 오전 9시 무료 이용
※ 단, EBSCO ASC/BSC(오후 5시~익일 오전 9시 무료 이용)
RISS 인기검색어
검색결과 좁혀 보기
좁혀본 항목 보기순서
오늘 본 자료
Historic framework and status of the remote sensing user communities
Mroczynski, R. AAAF 1995 EOMARK -SYMPOSIUM- Vol.1 No.-
Reactive magnetron sputtered hafnium oxide layers for nonvolatile semiconductor memory devices
Mroczynski, R., Szymanska, M., Gluszewski, W. AVS, American Institute of Physics 2015 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.33 No.1
Differences between beetle communities colonizing cattle and horse dung
Mroczynski, R., Komosinski, K. INSTITUTE OF ENTOMOLOGY 2014 EUROPEAN JOURNAL OF ENTOMOLOGY Vol.111 No.3
Reliability issues of double gate dielectric stacks based on hafnium dioxide (HfO"2) layers for non-volatile semiconductor memory (NVSM) applications
Mroczynski, R., Beck, R. B. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2012 Microelectronics and reliability Vol.52 No.1
Silicon Oxynitride Layers Fabricated by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) for CMOS Devices
Mroczynski, R., Beck, R. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2009 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.216^T^H No.5
Application of deposited by ALD HfO2 and Al2O3 layers in double-gate dielectric stacks for non-volatile semiconductor memory (NVSM) devices
Mroczynski, R., Taube, A., Gieraltowska, S., Guzie Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2012 Applied Surface Science Vol.258 No.21
Technology and application of PECVD silicon oxynitride layers in non-volatile semi-conductor memory (NVSM) devices
Mroczynski, R., Beck, R.B. SIGMA-NOT 2008 ELEKTRONIKA -WARSAW- WYDAWNICTWA CZASOPISM TECHNIC Vol.49 No.9
Improvement of electro-physical properties of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers by high-temperature annealing
Mroczynski, R., Kwietniewski, N., Cwil, M., Hoffma Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2008 Vacuum Vol.82 No.10
The influence of dilution of the reactive gases in argon on electro-physical properties of ultra-thin silicon oxynitride layers formed by PECVD
Mroczynski, R., Beck, R. B. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 Vacuum Vol.81 No.5
Mroczynski, R., Beck, R. Electrochemical Society 2009 ECS Transactions Vol.25 No.8
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료