http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
광경화성 아크릴레이트 복합체를 이용한 나노 임프린트 패턴 형성
송기국(Ki Gook Song),김성현(Sung Hyun Kim),박선희(Sun Hee Park),문성남(Sung Nam Moon),이우일(Woo Il Lee) 한국고분자학회 2012 폴리머 Vol.36 No.4
실리카 입자가 첨가된 광경화성 임프린트용 복합체를 제조하여 실리카 양에 따른 경화 특성과 전사된 수 백 나노미터 크기의 임프린트 패턴 형성에 관한 결함을 조사하였다. 상온에서 UV 경화한 임프린트 레진은 실리카 양 이 증가할수록 탄성률이 커지고 수축률이 줄어드는 것을 알 수 있었다. 그러나 실리카 입자의 양이 7 wt% 이상인 경우 전사된 나노기둥끼리 서로 달라붙는 결함을 보이는데, 이는 실리카 입자가 광반응을 방해하여 임프린트 레진 의 경화가 불완전하게 되면서 광경화된 레진의 점성이 증가했기 때문이다. 임프린트 레진에 실리카 입자를 충전제로 사용하면 경화 후 나노 패턴의 강도를 증가하여 형태를 유지하는데 도움이 되지만, 실리카 양이 7 wt% 이상이 되면 오히려 광반응 전환율이 떨어져 임프린트 공정에 의한 나노 패턴의 전사가 어려운 것을 알 수 있다. The effects of silica content were studied on UV curing characteristics and defect formations in imprinted patterns of hundreads nanometer size for the photo-curable imprinting composites with silica particles. An increase in elasticity and a decrease in shrinkage were observed with an increase in silica content in the imprinting resin which was UV cured at room temperature. However, the patterned nano-pillars were stuck together with neighboring nano-pillars if the amount of silica is more than 7 wt%. This can be ascribed to the increased viscosity of imperfectly cured resin due to the obstruction of the photo-reaction by silica particles. Addition of silica to the imprinting resin is useful in enhancing the strength of the cured resin although it is difficult to get good imprinted patterns for the resin with more than 7 wt% of silica due to the reduction of photo-reaction conversion.
폴리아닐린 나노섬유를 이용한 광경화형 전도성 투명필름의 제조 및 특성
김성현(Sung Hyun Kim),송기국(Ki Gook Song) 한국고분자학회 2012 폴리머 Vol.36 No.4
폴리아닐린(PANI) 나노섬유를 전도성 충전제로 사용하여 광경화형 전도성 투명필름을 제조하였다. 화학산화 중합(chemical oxidation polymerization)으로 나노섬유 구조의 산화형 폴리아닐린(ES-PANI)을 합성하였다. ES-PANI 는 디도핑을 통해 환원형 폴리아닐린(EB-PANI)으로 유도하였다. 이것을 전도성 충전제의 전구체로 사용하여 도데 실벤젠설폰산(DBSA)이 포함되어 있는 광경화형 레진에 분산시키면 재도핑된 재산화형 폴리아닐린(rES-PANI)을 얻 을 수 있었다. 이런 과정을 통해 나노섬유 형태가 유지되면서 높은 전도성과 분산안정성이 우수한 광경화형 전도성 레진용액을 제조할 수 있었다. 제조된 광경화형 전도성 레진용액은 상온에서 3달 정도 두어도 rES-PANI 충전제의 침전물이 생기지 않았다. 또한 이 용액을 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA) 기재 위에 스핀코팅 후 광경화하여 약 5 μm 두께의 전도성 투명필름을 제조하였다. rES-PANI 나노섬유 농도가 1.4 wt%일 때 표면저항 6.5 × 108 Ω/sq, 550 nm 파장에서 91.1%의 투과도를 보였다. ES-PANI의 디도핑-재도핑(dedoping-redoping) 과정을 통해 광경화형 전도성 레진용액에 분산된 PANI는 농도에 따라 필름표면저항과 광학적 투명도를 조절할 수 있는 대전방지 보호필름을 제작하는 새로운 방법을 제시하였다. Conductive polyaniline (PANI) nanofibers in UV-curable resin were used for a transparent conductive film. The emeraldine-salt PANI (ES-PANI) nanofibers were prepared by chemical oxidation polymerization of aniline, which could be changed into emeraldine-base PANI by dedoping. EB-PANI nanofibers as a precursor for conductive fillers were thereby transformed into re-dpoed PANI (rES-PANI) by dodecylbenzenesulfonic acid in the UV-curable resin solution. RES-PANI nanofibers have high conductivity and long-term stability in the solution without a defect of nanostructure, The resulting conductive resin solution was proved to be highly stable where no precipitation of rES-PANI fillers was observed over a period of 3 months, The transparent film was spin-casted on a poly (methyl methacrylate) sheet of thickness ca. 5μm. A surface resistance of 6.5 × 108 Ω/sq and transmittance at 550 nm of 91.1% were obtained for the film prepared with a concentration of 1.4 wt% rES-PANI nanofibers in the solution. This transformation process of rES-PANI from ES-PANI by dedoping-redoping can be an alternative method for the preparation of an antistatic protection film with controllable surface resistance and optical transparencies with the PANI concentration in UV-curable solution.
고분자 게이트 전극을 이용한 유기박막 트랜지스터의 제조 및 소자성능에 관한 연구
장현석(Hyun Seok Jang),송기국(Ki Gook Song),김성현(Sung Hyun Kim) 한국고분자학회 2011 폴리머 Vol.35 No.4
폴리아닐린(polyaniline, PANI) 전도성 고분자 용액을 camphorsulfonic acid(CSA)로 도핑하여 제조하였고, FTIR을 이용하여 고분자 중합 및 도핑유무를 확인하였다. 제조된 폴리아닐린을 스핀 코팅하여 유기박막 트랜지스터의 게이트 전극으로 사용하였으며, 열처리 온도변화에 따른 전기 전도도 변화를 4-probe measurement로 확인하였다. 또한 표면 특성을 이해하기 위해 atomic force microscope(AFM)와 optical microscope를 이용하였다. 폴리아닐린 게이트전극을 활용하여 얻은 유기박막 트랜지스터의 소자성능은 최고 이동도가 0.15 cm2/Vs, 전류점멸비가 2.4×10(6) 임을 확인하였다. 고분자 전극의 소자특성을 비교분석하기 위해, 같은 구조의 Au 전극소자를 제작하였다. Au 금속전극소자와 유사한 성능을 보인 폴리아닐린 게이트 전극 소자는 플렉서블 유기박막 트랜지스터 전극으로 충분히 사용될 수 있다. A conductive PANI solution was successfully fabricated by doping with camphorsulfonic acid and the polymerization of aniline and the confirmation of doping were characterized by FTIR spectroscopy. In organic thin film transistors, PANI gate electrodes were spin-coated on a PES substrate and their conductivity variations were monitored by a 4-probe method with different annealing temperatures. The surface properties of PANI thin films were investigated by an AFM and an optical microscope. OTFTs with PANI gate electrode had characteristics of carrier mobility as large as 0.15 cm²/Vs and on/off ratio of 2.4×10(6). Au gate OTFTs with the same configuration were fabricated to investigate the effect of polymer gate electrode for the comparison of device performances. We could obtain the comparable performances of PANI devices to those of Au gate devices, resulting in an excellent alternative as an electrode in flexible OTFTs instead of an expensive Au electrode.