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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저자 : 김봉수(Boong-Soo Kim) (검색결과 1 건)
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        다양한 흡착자에 의한 Si(113)3×2 표면의 상변화 연구

        김학수(Hak-Su Kim),황찬국(Chan-Cuk Hwang),김용기(Yong-Ki Kim),김정선(Jeong-Seon Kim),박종윤(Chong-Yun Park),김기정(Ki-Jeong Kim),강태희(Tae-Hee Kang),김봉수(Boong-Soo Kim) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.3(2)

        전자회절법을 이용하여 K 및 다양한 흡착자에 의한 Si(113)3×2 표면의 상변화를 관찰하였으며 광전자분광법을 이용하여 산소 노출량에 따른 가전자대 빛 내각준위스펙트럼을 관찰하였다. 산소 흡착에 의해 가전자대의 표면상태가 내각준위에서 관찰되는 두 피크(S1, S2)와 동시에 사라지면서 3×1 주기성을 보였다. 특히 이러한 변화가 동종물질인 실리콘 증착에서도 관찰되었으며 후열처리에 의해 3×2 주기성으로 환원되는 것으로 미루어 Si(113)3×2 표면의 3×1으로의 초기 상전이가 실리콘표면의 흡착자에 의해서 형성된 것이 아니며 기판 자체의 재배열과 관련되어 있음을 확인하였다. The phase transition on the surface which several adsorbates(K, Mg, etc.) are deposited was observed by Low Energy Electron Diffraction (LEED) and Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). We took the photoelectron spectra from the valence and core level at several oxygen exposure. For oxygen adsorption, the surface state in valence spectra diminished concurrently with S1, S2 peaks in core level spectra and surface periodicity turned to 3×1. Especially even on the Si-deposited surface the same result was observed. The surface is recovered to 3×2 by post-annealing. These results suggest that the phase transition from 3×2 to 3×1 on the Si(113) at initial stage is induced by a rearrangement of atoms on the substrate, not by the formation of overlayer.

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