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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저자 : 유명슬 (검색결과 1 건)
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      • 극자외선 리소그래피에서 마스크 결함에 의한 이미지 특징

        유명슬,박승욱,김옥경,오혜근 한양대학교 이학기술연구소 2004 이학기술연구지 Vol.7 No.

        본 논문에서는 극자외선(Extreme-Ultraviolet) 리소그래피에서 사용되는 마스크 특성을 알아보았다. EUV 마스크는 Mo 와 Si 이 각각 2-4㎚ 정도의 두께로 쌓이기 때문에 공정상에 결함이 발생할 소지가 다. 전산 모사를 통해 마스크 상에 결함이 없을 때와 여러 가지 결함 조건 이 있을 때 웨이퍼 상에 전사되는 이미지 변화를 알아보았다. 결함의 조건에 의해 이미지 대조비 (Contrast), 폭(Width) 변화가 나타났으며 또한 이미지의 상 일그러짐과 최대 세기 위치 이동을 관찰 할 수 있었다. Simulation has been used to predict aerial images for masks with defect-free multilayer and with defect in multilayer. Mask defects are easily produced in an extreme-ultraviolet lithography mask fabrication process, because 80 Mo/si multilayer films are stacked and each stack is made from 2 to 4㎚. In this case, the multilayer can be stacked with defects and with slightly different heights. It is difficult to achieve an aerial image which is desired. This paper discusses various image properties when there is no defect and when there are different kinds of defects in the multilayer. The results are calculated by using SOLE-EUV of Simga-C. A finite-difference time-domain algorithm is used, and the aerial images caused by defects in the multilayer are also characterized.

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