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        0.18 μm CMOS 기반 인덕터를 사용하지 않는 6~18 GHz 7-Bit 28 dB 가변 신호 감쇠기

        나윤식(Yun-Sik Na),이상훈(Sanghoon Lee),김재덕(Jaeduk Kim),이왕용(Wangyoung Lee),이창훈(Changhoon Lee),이성호(Sungho Lee),서문교(Munkyo Seo),이성철(Sung Chul Lee) 한국전자파학회 2016 한국전자파학회논문지 Vol.27 No.1

        본 논문에서는 6~18 GHz 대역 7-bit 28 dB 가변 신호 감쇠기의 설계 및 측정결과에 대하여 기술하였다. 기존의 switched-T 감쇠기에 칩 사이즈를 최소화하기 위해 인덕터를 사용하지 않았고, 보상용 병렬 커패시터를 추가하여 참조 상태(reference state)와 감쇠 상태간의 위상 변화를 최소화하였다. 설계된 감쇠기는 0.18 μm CMOS 공정을 이용하여 제작하였다. 측정된 감쇠기의 해상도와 전체 감쇠 범위는 각각 0.22 dB 및 28 dB이다. 6~18 GHz의 동작 주파수에서 RMS 감쇠오차는 0.26 dB 이하, 위상 오차는 3.2° 이하로 측정되었으며, 참조상태 손실은 12.4 dB 이하이다. 전체 주파수 범위와 감쇠상태에서 입출력 반사손실은 9.4 dB 이상이다. 패드를 포함하지 않은 칩 면적은 0.11 mm²이다. This paper presents a 6~18 GHz 7-bit digital-controlled attenuator. The proposed attenuator is based on switched-T architecture, but no inductor is used for minimum chip size. The designed attenuator was fabricated using 0.18 μm CMOS process, and characterized using on-wafer testing setup. The resolution(minimum attenuation step) and the maximum attenuation range of the attenuator were measured to be 0.22 dB and 28 dB, respectively. The measured RMS attenuation error and the RMS phase error for 6~18 GHz were less than 0.26 dB and 3.2°, respectively. The reference state insertion loss was less than 12.4 dB at 6~18 GHz. The measured input and output return losses were better than 9.4 dB over all frequencies and attenuation states. The chip size is 0.11 mm² excluding pads.

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