http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
RISS 인기검색어
- 검색키워드
- 저자 : 宋根萬(Keun-Man Song) (검색결과 1 건)
- 무료
- 기관 내 무료
- 유료
-
유기금속화학기상증착법을 이용한 청색 발광 InGaN/GaN MQWs의 성장에 관한 연구
金東俊(Dong-Joon Kim),文用泰(Yong-Tae Moon),宋根萬(Keun-Man Song),朴成柱(Seong-Ju Park) 大韓電子工學會 2000 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.37 No.12
저압 유기금속화학기상증착법을 이용하여 효율적인 청색 발광을 하는 InGaN/GaN multiple quantum wells(MQWs)을 성장시키고, InGaN/GaN MQWs의 광학적 및 계면 구조 특성을 고찰하였다. 보다 효율적인 청색 발광을 하는 InCaN/CaN MQWs을 성장시키기 위하여, MQWs의 성장온도 및 InGaN 우물층과 GaN 장벽층의 두께를 변화시켜 최적 조건을 확립하였다. 특히, GaN 장벽층의 두께 변화가 InCaN 우물층과 GaN 장벽층간 계면의 구조적 특성에 지대한 영향을 미침을 확인하였다. X-ray 회절분석결과와 고분해능의 투과전자현미경 사진 분석으로부터 MQW 구조의 InCaN 우물층과 GaN 장벽층간의 계면이 매우 급준함을 발견할 수 있었다. 또한, 상온 PL 스펙트럼에서 72.6meV의 매우 좁은 반치폭을 갖는 단일 피크가 463.5㎚에서 확인되었다. We investigated the growth of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) structures which emit blue light. The samples were grown in a low pressure metalorganic chemical vapor deposition system We examined InGaN/GaN MQWs by varying growth temperatures and thicknesses of InGaN well and GaN barrier layers in MQWs. Especially, the thickness of GaN barrier in InGaN/GaN MQWs was found to severely affect the interfacial abruptness between InGaN well and GaN barrier layers. The higher order satellite peaks in the high resolution x-ray diffraction spectra and the hihg resolution cross sectional transmission electron microscope image of MQW structures revealed that the interface between InGaN and GaN layers was very abrupt. Room-temperature photoluminescence spectra also showed a blue emission from InGaN/GaN MQWs at the wavelength of 463.5㎚ with a narrow full width at half maximum of 72.6meV.
ScienceON
DBpia연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
