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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저자 : S.-U. Nisa (검색결과 1 건)
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      • KCI등재

        Effect of annealing treatment on the uniformity of CeO2/TiO2 bilayer resistive switching memory devices

        M. Ismail,A.M. Rana,S.-U. Nisa,F. Hussain,M. Imran,K. Mahmood,I. Talib,E. Ahmed,D.H. Bao 한국물리학회 2017 Current Applied Physics Vol.17 No.10

        Bilayer CeO2/TiO2 films with high-k dielectric property were prepared by rf magnetron sputtering technique at room temperature. Effect of annealing treatment on resistive switching (RS) properties of bilayer CeO2/TiO2 films in O2 ambient at different temperature in the range of 350e550 C was investigated. Our results revealed that the bilayer films had good interfacial property at 500 C and this annealing temperature is optimum for different RS characteristics. Results showed that bilayer CeO2/TiO2 film perform better uniformity and reliability in resistive switching at intermediate temperature (i.e. 450 C and 500 C) instead of low and high annealing temperature (i.e. 350 C and 550 C) at which it exhibits poor crystalline structure with more amorphous background. Less Gibbs free energy of TiO2 as compared to CeO2 results in an easier re-oxidation of the filament through the oxygen exchange with TaN electrode. However, the excellent endurance property (>2500 cycles), data retentions (105 s) and good cycle-to-cycle uniformity is observed only in 500 C annealed devices. The plots of cumulative probability, essential memory parameter, show a good distribution of Set/Reset voltage.

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