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Structural and electrical properties of Zn(Al)O layers for transparent metal oxide applications
Kwon, Y. B.,Abouzaid, M.,Ruterana, P.,Je, J. H. Wiley - VCH Verlag GmbH & Co. KGaA 2007 Physica Status Solidi. B Vol.244 No.5
<P>The microstructure and electrical properties of low temperature (250 °C) RF sputtered Al doped ZnO layers are investigated. By varying the Al composition from 0 to 15 at%, it is shown that the morphology of the layers is improved whereas the crystalline structure changes from highly oriented monocrystalline domains to textured and misoriented nanocrystallites. It is also noticed that the best metallic properties are attained for a quite low Al concentration in the AZO (3 at%), when the Al content is further increased, the mobility, carrier density and resistivity saturate. The annealing in air at higher temperatures does not seem to improve the conduction properties, instead at 800 °C, the resistivity drops by more than one order of magnitude and the carrier density by almost five orders of magnitude. At this high temperature, the strong increase of the mobility is tentatively attributed to the better crystalline quality of the annealed layers. (© 2007 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)</P>
Indium assisted hydride vapor phase epitaxy of GaN film
Guanghui Yu,Benliang Lei,Haohua Ye,Sheng Meng,Ming Qi,Aizhen Li,Jun Chen,Gerard Nouet,JPierre Ruterana 한양대학교 세라믹연구소 2006 Journal of Ceramic Processing Research Vol.7 No.2
In order to increase the migration length of adatoms in hydride vapor phase epitaxy (HVPE) of GaN films, indium was used as a surfactant in HVPE growth. For samples with indium, an increase of crystalline quality was confirmed by X-ray diffraction measurements, and an improvement of surface morphology was also observed. SIMS analysis showed that indium was incorporated in the as-grown GaN film, and indium related photoluminescence (PL) was also detected.
Won, Byeong-Muk,Park, Gong-Seok,Hwang, Cheol-Ho,Han, Su-Deok,Kim, In-U,Gwon, Yong-Beom,Seol, Seung-Gwon,Jo, Chang-Sik,Je, Jeong-Ho,Hwu, Y.,Tsai, W.L.,Ruterana, P. 한국정보디스플레이학회 2003 인포메이션 디스플레이 Vol.4 No.4
우리는 연-X-선 흡수 분광법(soft-X-ray Absorption Spectroscopy ; XAS)을 사용하여 실제 산화물 음극 전자 방출 물질 표면의 화학 구조에 대해 연구하였다. 바륨 3d 흡수단의 고-에너지 분해 스펙트럼은 활성화 과정(온도와 전압 인가) 후에 산화물 음극표면에서 수십 나노미터 깊이 아래까지 바륨 함량이 현저히 증가한다는 것을 보여주었다. 바륨과 산소의 XAS 데이터를 비교해보면 표면에서 과잉 바륨이 형성되는 것을 확실히 입증하고 있다. 게다가 우리는 표면에서의 과잉 바륨의 증가가 활성화 과정에서 열에너지에 의한 것이 아니라 인가된 전압에 의한 것임을 밝혀냈다. 이 결과로 우리는 표면의 과잉 바륨 형성 전체 과정을 규명하고 활성화 동안 표면의 바륨 증가가 분말 입자로부터 니켈 계면으로의 바륨 이온의 전해 이동 속도에 의해 제어된다는 것을 제안한다. 우리는 또한 표면 바륨 증가가 전해 이동에 의한 분말 입자 내의 바륨의 고갈에서 비롯되는 것으로 추정한다.