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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저자 : Hsiu-Fen Kao (검색결과 1 건)
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      • KCI등재

        Application of Block Diagonal Technique to a Hamiltonian Matrix in Performing Spin-splitting Calculations for GaN Wurtzite Materials

        Chun-Nan Chen,Sheng-Hsiung Chang,Wei-Long Su,Wan-Tsang Wang,Hsiu-Fen Kao,Jen-Yi Jen,Yiming Li 한국물리학회 2012 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.60 No.3

        The bulk inversion asymmetry (Dresselhaus) terms (i.e., B2, B1, and B01 terms) of wurtzite materials are determined. The 2 × 2 conduction band, 2 × 2 heavy-hole band, 2 × 2 light-hole band,and 2 × 2 crystal-field split-off hole band matrices of wurtzite semiconductors are developed and decoupled by using a block diagonal technique. Importantly, those 2 × 2 block diagonal matrices incorporate not only the interband coupling effect but also the bulk inversion asymmetry effect. Analytical expressions for the conduction and the valence band spin-splitting parameters and energies of GaN wurtzite materials are formulated by solving the block diagonal matrices. The presence of these terms is shown to include the spin-splitting phenomenon. The bulk inversion asymmetry (Dresselhaus) terms (i.e., B2, B1, and B01 terms) of wurtzite materials are determined. The 2 × 2 conduction band, 2 × 2 heavy-hole band, 2 × 2 light-hole band,and 2 × 2 crystal-field split-off hole band matrices of wurtzite semiconductors are developed and decoupled by using a block diagonal technique. Importantly, those 2 × 2 block diagonal matrices incorporate not only the interband coupling effect but also the bulk inversion asymmetry effect. Analytical expressions for the conduction and the valence band spin-splitting parameters and energies of GaN wurtzite materials are formulated by solving the block diagonal matrices. The presence of these terms is shown to include the spin-splitting phenomenon.

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