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어븀-실리사이드/p-형 실리콘 접합에서 쇼트키 장벽 높이 변화
이솔,전승호,고창훈,한문섭,장문규,이성재,박경완,Lee, Sol,Jeon, Seung-Ho,Ko, Chang-Hun,Han, Moon-Sup,Jang, Moon-Gyu,Lee, Seong-Jae,Park, Kyoung-Wan 한국진공학회 2007 Applied Science and Convergence Technology Vol.16 No.3
Ultra thin Er-silicide layers formed by Er deposition on the clean p-silicon and in situ post annealing technique were investigated with respect to change of the Schottky barrier height. The formation of Er silicides was confirmed by XPS results. UPS measurements revealed that the workfunction of the silicide decreased and was saturated as the deposited Er thickness increased up to $10{\AA}$. We found that the silicides were mainly composed of Er5Si3 phase through the XRD experiments. After Schottky diodes were fabricated with the Er silicide/p-Si junctions, the Schottky barrier heights were calculated $0.44{\sim}0.78eV$ from the I-V measurements of the Schottky diodes. There was large discrepancy in the Schottky barrier heights deduced from the UPS with the ideal junction condition and the real I-V measurements, so that we attributed the discrepancy to the $Er_5Si_3$ phase in the Er-silicides and the large interfacial density of trap state of it. p-형 실리콘 기판 위에 수 ${\AA}$ 두께의 어븀 금속을 증착하고, 후열처리 과정을 통하여 어븀-실리사이드/p-형 실리콘 접합을 형성하였다. 초고진공 자외선 광전자 분광 실험을 통하여 증착한 어븀의 두께에 따라 어븀-실리사이드의 일함수가 4.1 eV까지 급하게 감소하는 것을 관찰하였으며, X-ray 회절 실험에 의하여 형성된 어븀 실리사이드가 주로 $Er_5Si_3$상으로 구성되어 있음을 밝혔다. 또한, 어븀-실리사이드/p-형 실리콘 접합에 알루미늄 전극을 부착하여 쇼트키 다이오드를 제작하고, 전류전압 곡선을 측정하여 쇼트키 장벽의 높이를 산출하였다. 산출된 쇼트키 장벽의 높이는 $0.44{\sim}0.78eV$이었으며 어븀 두께 변화에 따른 상관 관계를 찾기 어려웠다. 그리고 이상적인 쇼트키 접합을 가정하고 이미 측정한 일함수로부터 산출한 쇼트키 장벽의 높이는 전류-전압 곡선으로부터 산출한 값에 크게 벗어났으며, 이는 어븀-실리사이드가 주로 $Er_5Si_3$ 상으로 구성되어 있고, $Er_5Si_3/p-$형 실리콘 계면에 존재하는 고밀도의 계면 상태에 기인한 것으로 사료된다.
고압 CV 케이블에서의 부분방전 측정과 위치검출 방법에 관한 연구
송재용(Song Jae-Yong),서황동(Seo Hwang-Dong),박대원(Park Dae-Won),길경석(Kil Gyung-Suk),한문섭(Han Moon-Sup),장동욱(Jang Dong-Wook) 한국철도학회 2005 한국철도학회 학술발표대회논문집 Vol.- No.-
This paper describes the measurement and location method of partical discharges in high voltage CV cables. Coupling capacitors were used to detect partial discharge signal. Impedance characteristic of the coupling circuit and an amplifier with a high Common Mode Rejection Ratio(CMRR) were studied to improve sensitivity of the circuit. From the calibration experiment, the sensitivity of the partial discharge detection circuit was about 100pC. Also, we confirmed that the location of partial discharges in cables can be estimated by calculation of time difference between the first pulse and the second one reflected from the other end of the cable.