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하민우(Min-Woo Ha),김수성(Soo-Seong Kim) 대한전기학회 2021 전기의 세계 Vol.70 No.12
전력용 반도체 소자는 전 영역에 온 전류가 고르게 퍼지는 수직형 구조가 적합하다. 하지만 수직형 전력용 반도체 소자 내 액티브 영역의 끝인 메인 접합에 역방향 전계가 집중되어 항복 전압이 열화된다. 이 문제를 개선하기 위하여 액티브 영역을 감싸는 접합 마감 영역이 필요하다. 이 글에서는 실리콘과 4H-SiC 기반 전력용 반도체 소자의 접합 마감 기술에 대하여 설명하였다. A power semiconductor device is suitable for a vertical structure in which on current is evenly spread over the entire region. However, the reverse electric field is concentrated at the main junction, the edge of the active region in the vertical power semiconductor device, and the breakdown voltage is decreased. In order to improve this problem, a junction termination region encircling the active region is required. In this article, the junction termination technologies for silicon and 4H-SiC-based power semiconductor devices were discussed.
FS-IGBT의 short-circuit withstanding time에 대한 carrier stored 층 도핑 농도의 영향
하민우(Min-Woo Ha),김용상(Yong-Sang Kim),김수성(Soo-Seong Kim) 대한전기학회 2021 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2021 No.10
IGBT(insulated gate bipolar transistor)는 자동차, 가전 및 산업용 전력 스위칭 분야에 이용되고 있다. IGBT의 여러 구조 중 field stop-IGBT는 가장 진보한 전기적 특성을 가진다. Carrier stored 증은 field stop IGBT의 전기적 특성에 큰 영향을 미친다. 본 연구에서는 carrier stored 층의 도핑 농도에 따른 600V, 30 A급 FS-IGBT의 Vce,sat, 항복전압 및 단락회로 저지 시간을 연구하였다.