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MOSFET를 이용한 직류 차단 시스템 설계 및 특성 평가
최강월(Jiangyue Cui),김윤형(Yoon-Hyoung Kim),이세현(Sei-Hyun Lee),용기중(Gee-Joong Yong),한상옥(Sang-Ok Han) 대한전기학회 2010 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2010 No.11
직류 비접지 시스템에서의 누설전류검출과 차단기의 차단속도에 의한 응답속도의 문제가 있어, 비접지 상황에서 인체 감전 전 안전차단은 어려운 실정 이다. fuse 또는 MCCB(molded case circuit breaker)와 같은 고전압 직류 회로에서 사용 중인 보호 장치는 차단시간이 길고 안전성도 높지 않은 단점이 있다. 본 논문에서는 DC 300 V, 5~10 A 수준의 소용량 직류회로에서의 사용 할 수 있는 고속 차단 특성을 갖는 직류 누전 검출 및 차단 시스템을 설계하고 그 특성을 평가하였다. 이 차단 시스템은 고속차단을 위하여 반도체 소자인 MOSFET를 사용 하였다. 이를 위해 직류 회로에 대한 누전 모의 회로를 설계하였고, 설계한 회로를 전산 해석하여 그 특성을 모의하였다. 또한 시험용 회로를 제작하여 차단 특성을 평가하였다.