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- 저자 : 진성환(S.H. Jin) (검색결과 3 건)
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장운헌(U. H. Jang),신혜진(H. J. Shin),진성환(S. H. Jin) 한국재활복지공학회 2020 한국재활복지공학회 학술대회논문집 Vol.2020 No.11
빠른 산업발전으로 인해 현재 우리는 온라인 또는 오프라인을 통해 손쉽게 필요로 하는 여러 물품을 구입할 수 있다. 보조기기 또한 마찬가지다. 컴퓨터, 핸드폰, 오프라인매장 등 보조기기를 필요로 하는 장애인 또는 노인들이 터치 몇 번, 클릭 몇 번으로 보조기기를 구입할 수 있다. 하지만, 기성품은 모든 장애인의 욕구를 충족시켜주지 못하기에 구매 후 후회를 하는 경우가 다반사다. 본 사례연구는 여러 보조기기 중 욕구를 충족시키는 기기를 찾지 못한 한 가족이, 지역 보조기기센터와 연계되며 개조 및 제작 서비스를 통해 욕구를 충족시킨 사례이다. 본 사례를 통해 지역 보조기기센터의 개조 및 제작 서비스가 왜 필요한지, 왜 중요한지를 알 수 있는 계기가 되었고, 본 저자는 이를 나누고자 한다.
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장운헌(U. H. Jang),진성환(S. H. Jin) 한국재활복지공학회 2019 한국재활복지공학회 학술대회논문집 Vol.2019 No.11
2018년 경상남도 내 장애인 및 노인들이 보유한 이동보조기기(전동휠체어, 전동스쿠터, 수동휠체어, 보행차, 워커, 유모차), 자세유지보조기기(피더시트, 이너)를 무상 점검 및 세척을 지원해 주고 그에 따른 만족도 조사를 실시하였다. 크게는 일반정보, 공통, 보조기기 점검 및 세척 서비스 이렇게 세 가지이고, 세부적으로는 28개의 문항으로 이루어져 있다. 만족도 조사 결과, ‘점검 및 세척 서비스 필요성’과 ‘다시 이용할 것인가?’에 대한 응답률이 100% 나왔다. 이는 서비스 대상자도 점검 및 세척의 중요성을 알고 있거나 알게 되었다고 추측할 수 있다.
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건식 열산화로 성장시킨 SiO₂ 박막의 이차전자 방출 특성
정태원(Taewon Jeong),유세기(SeGi Yu),이정희(Jeonghee Lee),진성환(S.H. Jin),허정나(Jungna Heo),이휘건(Whikun Yi),전동렬(D. Jeon),김종민(J.M. Kim) 한국진공학회(ASCT) 2001 Applied Science and Convergence Technology Vol.10 No.1
열산화시킨 SiO₂ 박막의 두께와 입사 전류의 양에 따라 이차전자 방출 계수를 측정하였다. 930℃에서 열산화시킨 SiO₂ 박막 두께는 5.8㎚, 19㎚, 43㎚, 79㎚, 95㎚, 114㎚였으며 이들의 이차전자의 방출 특성이 박막 두께와 전류량에 따라 변화하는 것을 확인하였다. 박막 두께 43㎚ 이하의 얇은 박막에서는 대체적으로 universal curve의 형태를 따르지만 79㎚ 이상의 두꺼운 박막에서는 이차전자 방출곡선이 최고점이 2개인 형태로 변하며 그 값도 전반적으로 낮아진다. 또 입사시키는 일차전자 전류의 증가에 대해서도 이차전자 방출곡선이 전체적으로 낮아진다. 이 실험에서 측정된 최대 이차전자 방출 계수는 박막 두께 19㎚, 일차 전자 에너지 300eV, 일차 전류 0.97㎂일 때 3.35를 갖는다. 이차전자 방출계수가 최대인 입사에너지에서 전자의 시료내 침투깊이와 탈출깊이와의 관계식을 통하여 박막 두께를 이론적으로 계산하였으며, 실험값과 비교적 일치하는 것을 확인하였다. The secondary electron emission (SEE) yields for the thermally grown SiO₂ thin layers were measured by varying the thickness of the SiO₂ layer and the primary current. SiO₂ thin layers were thermally grown in a furnace at 930℃, whose thickness varied to be 5.8㎚, 19㎚, 43㎚, 79㎚, 95㎚, and 114㎚. When the SiO₂ layers were thinner than 43㎚, it was found that SEE curves followed the universal curve. However, for samples with a SiO₂ layer thicker than 79㎚, the SEE curves exhibited two maxima and the values of SEE yields were reduced. Additionally, as the current of primary electrons increased, the SEE yields were reduced. In this experiment, the maximum value of the SEE yield for SiO₂ layers was obtained to be 3.35 when the thickness of SiO₂ layer was 19㎚, with the primary electron energy 300 eV and the primary electron current 0.97 ㎂. The penetration and escape depth of an electron in the SiO₂ layers were calculated at the primary electron energy for the maximum value of the SEE yield and from these depths, it was calculated that the thickness of the SiO₂ layer.
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