http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
RISS 인기검색어
- 검색키워드
- 저자 : 정현식(Hyeonsik Cheong) (검색결과 1 건)
- 무료
- 기관 내 무료
- 유료
-
저압 MOCVD 방법으로 성장된 InGaAsP 에피층에서의 ordering 현상
김대연(Daeyeon Kim),문영부(Youngboo Moon),이태완(Taewan Lee),윤의준(Euijoon Yoon),이정용(Jeong Yong Lee),정현식(Hyeonsik Cheong) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.3
저압 유기금속 화학기상증착법을 이용하여 600℃와 620℃에서 InP 기판 위에 격자일치된 InGaAsP 에피층을 성장하였다. InGaAsP 에피층의 기상에서의 조성에 따른 고상에서의 조성의 변화를 분석하여, 3족 원소의 경우에는 기상에서 반응이 일어나는 표면으로의 3족 원료의 확산에 의해 조성이 결정되었으며, 5족의 경우에는 As과 P의 증기압의 차이와 AsH₃, PH₃의 열분해 효율의 차이에 의해 조성이 결정되었다. 측정 온도에 따른 PL 스펙트럼의 변화를 분석하여 75K 이하의 저온에서 비정상적인 PL 스펙트럼 피크의 거동을 관찰하였다. 이러한 PL 피크의 비정상적인 거동은 투과 전자현미경 분석과 투과 스펙트럼 분석을 통해 국부적인 ordering의 차이에 의한 에너지 갭의 공간적인 변화에 의해 나타나는 것으로 설명되었다. InGaAsP epitaxial layers lattice matched to InP were grown at 600 and 620℃ by low pressure metalorganic chemical vapor deposition. Solid phase composition of group Ⅲ was controlled by the diffusion flux from gas phase to the reaction surface. For the case of group Ⅴ, the difference of As and P vapor pressure and pyrolysis efficiency of PH₃ and AsH₃ mainly determined their incorporation into solid. An abnormal behavior of peak energy shift was observed below 75K in temperature variant photoluminescence study. This abnormal behavior was explained by the difference in order of ordering which makes spatial variation of energy gap in InGaAsP layer and this explanation was supported by the analyses of transmission electron microscopy and transmission spectroscopy.
DBpia
ScienceON연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
