http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
50㎛ 기판을 이용한 a-Si:H/c-Si 이종접합 태양전지 제조 및 특성분석
정도경(Jeong, Do-Gyeong),김가영(Kim, Ga-Yeong),정대영(Jeong, Dae-Yeong),송준용(Song, Jun-Yong),김경민(Kim, Gyeong-Min),구혜영(Gu, Hye-Yeong),송진수(Song, Jin-Su),이정철(Lee, Jeong-Cheol) 한국신재생에너지학회 2010 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2010 No.11
이종접합태양전지는 단결정 실리콘 기판 표면에 고품질 비정질 실리콘층을 적층함으로써 전기의 근원인 전하의 재결합 손실을 줄여 높은 개방전압을 얻을 수 있다는 특징이 있다. 초박형 태양전지는 기존 태양전지보다 뛰어난 광전변환 특성(Photovoltaic characteristic)을 가지고 두께가 얇아 제품 형상 시 자유도가 높아진다. 본 논문에서는 n-type Bare wafer(160{sim}180{mu}m)를 이용하여 50{mu}m의 웨이퍼를 제작하였다. a-Si:H(p)_a-Si:H(i)_c-Si(n)의 광흡수층 구조를 성막하여 cell을 제작하였다. 그 결과 Voc(Open Circuit Voltage)가 0.666, Jsc(Short-Circuit Current)가 34.77, FF(Fill Factor) 69.413, Efficency 16.07%를 달성했다.