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- 저자 : 장현범(Hyun Bum Jang) (검색결과 3 건)
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비정질 Ge_20S_65Bi_15 박막의 n형 전도기구에 관한 연구
장현범,이병로,김태만,이광배,김화민 대구효성가톨릭대학교 자연과학연구소 1992 基礎科學硏究論集 Vol.1992 No.1
비정질 Ge_20S_(80-χ)Bi_χ(χ=0, 4, 8, 12, 15 at%) 박막에 대한 전기전도도, 열기전력, 광흡수계수의 측정으로부터 pn-전이에 관한 기구를 조사하였다. 비정질 Ge_20S_(80-χ)Bi_χ 벌크시료의 경우 χ=12 at% 이상에서 n-형 전도가 일어나는데 비하여 박막사료의 경우는 χ=15 at%에서만 n-형 전도가 발견되었다. 이는 박막시료가 벌크시료에 비하여 더 많은 국소적 무질서와 갭안의 상태에 의한 것으로 설명된다. 비정질 Ge_20S_(80-χ)Bi_χ 박막에서 직류전기전도에 대한 활성화에너지와 열기전력에 대한 활성화에너지의 차이는 0.2에서 0.3eV 정도이며, 광학적갭이 χ=4 이상에서는 조금씩 감소하는 반면 직류 전기전도에 대한 활성화에너지는 χ=12에서 15 사이에서 급격한 감소를 나타낸다. 이는 n-형 전도는 전도대 미부의 국재화 상태들 사이의 호핑전도와 전도대쪽으로의 Fermi 준위의 이동을 수반하는 것으로 이해된다. The mechanism of pn-transition in amorphous Ge_20S_(80-χ)Bi_χ(χ=0, 4, 8, 12, 15 at%) films was investigated from the measurement of dc conductivity, thermoelectric power and optical absorption coefficient. N-type conduction was found only at χ=15 for film samples, as compared at χ≥12 for bulk glasses. The larger Bi contents for n-type conduction in deposited films than in glasses are to be due to the larger topological disorder and density of defect states in the gap. The difference between the activation energy for dc conduction and that for thermoelectric power is about 0.2 to 0.3 eV and the optical gaps were slightly decreased with the incorporation of more than 4 at%, in contrast to the remarkable decrease in the activation energy for conduction between χ=12 and 15 in a-Ge_20S_(80-χ)Bi_χ film. These are interpreted that n-type conduction is accompanied to both the hopping conduction in the localized states to the tail of the conduction band and the shift of the Fermi level toward the conduction band.
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비정질 Ge_30S_70 박막에 대한 열자극 전류 피크들의 기원
김화민,장현범,이병로,김태만,이광배 대구효성가톨릭대학교 자연과학연구소 1993 基礎科學硏究論集 Vol.1993 No.1
비정질Ge_30S_70 박막에서 광조사에 의한 전자포획 현상을 연속적인 열자극전류 측정으로 조사하였다. 열자극전류 스펙트럼에서 4개의 트랩 TR_1, TR_2, TR_3, TR_4들이 나타나며 이들의 트랩 준위는 각각 0.51, 0.57, 0.59, 0.63eV로 계산되었다. 광조사 시간 및 열처리에 따른 이들의 거동으로부터, TR_1은 Ge-결손결합에 기원하며 TR_4는 광표백화 효과의 근원인 전자와 양공을 모두 포획하는 (D^+,D^-)결합 쌍에 해당되는 것으로 이해된다. 그리고 트랩 거동의 성분의존도로부터 TR_2와 TR_3는 각기 양공과 전자를 포획하는 황과 연관된 (D^+,D^-)결함 쌍에 의한 트랩들로 판단되었다. Trapping properties by illuminations in a-Ge_30S_70 films were investigated from cyclic TSC measurement. Four characterized traps denoted by TR_1, TR_2, TR_3 and TR_4 are found in TSC spectra for a-Ge_30S_70 film, whose trap depths are 0.51, 0.57, 0.59 and 0.63eV, respectively. From the behavior of these traps by illumination and annealing process, it can be interpreted that TR_1 trap is originated to Ge-dangling bond and TR_4 trap to excitonic (D^+,D^-) pair, capturing both an electron and a hole which accompanied to the photobleaching effect. From the compositional dependence of TSC spectrum., it can be suggested that TR_2 and TR_3 traps are associated to S-related(D^+,D^-)pairs capturing an electron and a hole, respectively.
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