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차정옥,안정선,이광배,Cha, J.O.,Ahn, J.S.,Lee, K.B. 한국진공학회 2010 Applied Science and Convergence Technology Vol.19 No.1
$BiFeO_3(BFO)/Pb(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$(PZT) bilayer와 multilayer의 다층구조를 만들어 전기적 특성을 측정하여 같은 두께의 BFO 단층박막과 비교해 보았다. BFO와 PZT 용액을 이용하였으며 chemical solution deposition 방법으로 Pt/Ti/$SiO_2$/Si(100) 기판위에 각 박막을 증착하였다. X-ray diffraction 분석을 통해 모든 박막이 다배향(multi-orientation) 페로브스카이트 (perovskite) 구조를 가졌음을 확인하였다. BFO/PZT Bilayer와 multilayer 박막들은 BFO 단층박막의 비해 누설전류 값이 500 kV/cm에서 약 4, 5차수 정도 감소했으며, 이로 인해 BFO/PZT 다층박막의 강유전체 특성이 크게 향상되었다. BFO/PZT multilayer 다층구조 박막의 경우 안정된 이력곡선(hysteresis loop)을 나타냈으며, 잔류 분극(remanent polarization)의 값은 $44.3{\mu}C/cm^2$이었으며, 항전계($2E_c$) 값은 681.4 kV/cm였다. $BiFeO_3/Pb(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$(BFO/PZT) multilayer thin films have been prepared on a Pt/Ti/$SiO_2$/Si(100) substrate by chemical solution deposition. BFO single layer, BFO/PZT bilayer and multilayer thin films were studied for comparison. X-ray diffraction analysis showed that the crystal structure of all films was multi-orientated perovskite phase without amorphous and impurity phase. The leakage current density at 500 kV/cm was reduced by approximately four and five orders of magnitude by bilayer and multilayer structure films, compared with BFO single layer film. The low leakage current density leads to saturated P-E hysteresis loops of bilayer and multilayer films. In BFO/PZT multlayer film, saturated remanent polarization of $44.3{\mu}C/cm^2$ was obtained at room temperature at 1 kHz with the coercive field($2E_c$) of 681.4 kV/cm.
김덕진(D.J.Kim),김현욱(H.U.Kim),이광배(K.B.Lee),김영천(Y.C.Kim),이상일(S.I.LEE) 한국정보과학회 1992 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.19 No.1
다중프로세서 모듈에서 시스템의 성능을 향상시키기 위한 한가지 방법으로 프로세서에 전용 캐쉬를 둔다. 본 논문에서는 한 보드상에 2개의 프로세서와 2개의 캐쉬를 사용한 다중 프로세서 모듈에서 캐쉬 제어기를 설계하였다. 각각의 캐쉬에 대하여 데이타 불일치 현상을 방지하기 위하여 수정된 일리노이즈 프로토콜을 사용하였다. 그리고 캐쉬 제어기의 동작 상태를 정의하기 위하여 상태도를 작성 하였으며, 각각의 sub-module에 대해서 VALID를 사용하여 로직 시뮬레이션을 하였다.
결함허용 시스템에서의 고속 메모리를 위한 에러검출기의 설계
김현주(H.J.Kim),유충렬(C.Y.You),이광배(K.B.Lee),김현옥(H U Kim) 한국정보과학회 1992 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.19 No.2
본 논문은 결함 허용 컴퓨터 시스템의 주요 부분의 하나인 에러 검출과 수정에 관한 연구의 일부분으로 고속으로 동작하는 메모리의 데이타 입출력에서 에러를 검출하기 위한 에러 검출기를 설계하였다. 에러 검출의 일반적인 특성과 방법들을 고찰한 후 Modified-Hamming Code를 사용한 에러 검출기를 설계하고 결과를 Simulation 하였다.
다중프로세서 모듈의 시스템 버스 인터페이스에 관한 연구
김덕진(D J Kim),김현욱(H. U Kim),이광배(K.B.Lee),최진규(J.K.Choe),하재승(J S Hah) 한국정보과학회 1992 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.19 No.1
본 논문에서는 Tightly Coupled Processor 구조의 Single Bus를 시스템 버스로 채택 하였으며, 시스템 버스 인터페이스는 펜디드(pended) 프로토콜에 따라 로직 설계를 하였다. 버스 인터페이스의 서브 블록은 5 개의 소블록으로 나누어 로직을 설계하였다. 회로는 Valid GED상에서 디자인 하였으며, Rapidsim으로 로직 시뮬레이션을 수행하여 회로가 정상 동작함을 검증하였다.
차정옥(J. O. Cha),안정선(J. S. Ahn),이광배(K. B. Lee) 한국진공학회(ASCT) 2010 Applied Science and Convergence Technology Vol.19 No.1
BiFeO₃(BFO)/Pb(Zr0.52Ti0.48)O₃(PZT) bilayer와 multilayer의 다층구조를 만들어 전기적 특성을 측정하여 같은 두께의 BFO 단층박막과 비교해 보았다. BFO와 PZT 용액을 이용하였으며 chemical solution deposition 방법으로 Pt/Ti/SiO₂/Si(100) 기판위에 각 박막을 증착하였다. X-ray diffraction 분석을 통해 모든 박막이 다배향(multi-orientation) 페로브스카이트(perovskite) 구조를 가졌음을 확인하였다. BFO/PZT Bilayer와 multilayer 박막들은 BFO 단층박막의 비해 누설전류 값이 500 ㎸/㎝에서 약 4, 5차수 정도 감소했으며, 이로 인해 BFO/PZT 다층박막의 강유전체 특성이 크게 향상되었다. BFO/PZT multilayer 다층구조 박막의 경우 안정된 이력곡선(hysteresis loop)을 나타냈으며, 잔류 분극(remanent polarization)의 값은 44.3μC/㎠이었으며, 항전계(2Ec) 값은 681.4 ㎸/㎝였다. BiFeO₃/Pb(Zr0.52Ti0.48)O₃(BFO/PZT) multilayer thin films have been prepared on a Pt/Ti/SiO₂/Si(100) substrate by chemical solution deposition. BFO single layer, BFO/PZT bilayer and multilayer thin films were studied for comparison. X-ray diffraction analysis showed that the crystal structure of all films was multi-orientated perovskite phase without amorphous and impurity phase. The leakage current density at 500 ㎸/㎝ was reduced by approximately four and five orders of magnitude by bilayer and multilayer structure films, compared with BFO single layer film. The low leakage current density leads to saturated P-E hysteresis loops of bilayer and multilayer films. In BFO/PZT multlayer film, saturated remanent polarization of 44.3μC/㎠ was obtained at room temperature at 1 ㎑ with the coercive field(2Ec) of 681.4 ㎸/㎝.