http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
직접 용액 코팅법에 의해 제조한 CuInSe<sub>2</sub> 에 잔존하는 탄소 불순물층 형성에 관한 연구
안세진,어영주,곽지혜,윤경훈,조아라,Ahn, SeJin,Rehan, Shanza,Eo, Young-Joo,Gwak, Jihye,Yoon, Kyunghoon,Cho, Ara 한국태양광발전학회 2014 Current Photovoltaic Research Vol.2 No.1
Formation mechanism of residual carbon layer, frequently observed in the $CuInSe_2$ (CIS) thin film prepared by direct solution coating routes, was investigated in order to find a way to eliminate it. As a model system, a methanol solution with dissolved Cu and In salts, whose viscosity was adjusted by adding ethylcellulose (EC), was chosen. It was found that a double layer, a top metal ion-derived film and bottom EC-derived layer, formed during an air drying step presumably due to different solubility between metal salts and EC in methanol. Consequently, the top metal ion-derived film acts as a barrier layer inhibiting further thermal decomposition of underlying EC, resulting a formation of bottom carbon residue layer.
직접 용액 코팅법에 의해 제조한 CuInSe₂에 잔존하는 탄소 불순물층 형성에 관한 연구
안세진(SeJin Ahn),Shanza Rehan,어영주(Young-Joo Eo),곽지혜(Jihye Gwak),윤경훈(Kyunghoon Yoon),조아라(Ara Cho) 한국태양광발전학회 2014 Current Photovoltaic Research Vol.2 No.1
Formation mechanism of residual carbon layer, frequently observed in the CuInSe₂ (CIS) thin film prepared by direct solution coating routes, was investigated in order to find a way to eliminate it. As a model system, a methanol solution with dissolved Cu and In salts, whose viscosity was adjusted by adding ethylcellulose (EC), was chosen. It was found that a double layer, a top metal ion-derived film and bottom EC-derived layer, formed during an air drying step presumably due to different solubility between metal salts and EC in methanol. Consequently, the top metal ion-derived film acts as a barrier layer inhibiting further thermal decomposition of underlying EC, resulting a formation of bottom carbon residue layer.
윤재호(Yun, JaeHo),안세진(Ahn, SeJin),김석기(Kim, SeokKi),이정철(Lee, JeongChul),송진수(Song, Jinsoo),안병태(Ahn, ByungTae),윤경훈(Yoon, KyungHoon) 한국신재생에너지학회 2005 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2005 No.06
Cu계I-III-VI₂화합물은 직접천이형 반도체로 광흡수계수가 매우 높아 박막형 태양전지 제조에 매우 유리하다 또한 화학적으로 안정하며 Ga, A1등을 첨가하면 에너지 금지대폭을 조절할 수 있어 Wide Bandgap 태양전지 및 탠덤구조 태양전지를 제조하기에도 용이하다. CuInSe₂(CIS) 물질에서 In을 20-30% 정도 치환한 Cu(In,;Ga)Se₂(CIGS) 태양전지의 경우 19.5%의 세계 최고 효율을 보고하고 있으며 이는 다결정 실리콘 태양전지의 효율과 비슷한 수준이다. 본 연구에서는 동시 진공증발법을 이용하여 증착한 CIGS 박막 및 CuGaSe₂(CGS) 박막을 이용하여 태양전지를 제조하였다. 공정의 재현성 및 결정립계가 큰 광흡수층 제조를 위하여 실시간 기판 온도 모니터링 시스템을 도입하였으며 버퍼층으로는 용액성장한 CdS 박막을 사용하였다. SLG/MO/CIGS(CGS)/CdS/ZnO/Al구조의 태양전지를 제조하여 면적 0.5cm²에서 각각 15%(CIGS)와 7%(CGS)의 효율을 얻었다.
Fabrication of SnS Thin Film for Solar Cell Application Using Nano-particle Precursor
Na Kyoung Youn(윤나경),SeJin Ahn(안세진),Ara Cho(조아라),Jihye Gwak(곽지혜),Kyunghoon Yoon(윤경훈),Keeshik Shin(신기식),Seung Kyu Ahn(안승규),Jun Sik Cho(조준식),Joo Hyung Park(박준형),Jin Soo Yoo(유진수),Kihwan Kim(김기환),Jae Ho Yu 한국신재생에너지학회 2016 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2016 No.11