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뮬러 적분방정식을 이용한 삼차원 유전체의 전자기 산란 해석
박재권,김형진,안종출,정백호,Park Jae-Kwon,Kim Hyung-Jin,An Chong-Chul,Jung Baek-Ho 한국전자파학회 2004 한국전자파학회논문지 Vol.15 No.10
본 논문에서는 임의 형상을 가지는 삼차원 유전체의 전자파 산란을 해석하기 위하여 모멘트법을 이용한 뮬러적분방정식의 새로운 해법을 제안한다. 매질이 균일한 유전체 표면을 평면 삼각형 패치로 모델링 하여, RWG (Rao, Wilton, Glisson)함수를 등가 전기 및 자기 전류밀도의 전개함수로 사용한다. 그리고 RWG 함수와 그 직교함수를 조합한 시험함수를 적용한다. 유전체구에 대하여 제안된 방법으로 계산된 수치 결과를 보이고 다른 공식에 의한 결과와도 비교한다. In this paper, we present a set of numerical schemes to solve the Muller integral equation for the analysis of electromagnetic scattering from arbitrarily shaped three-dimensional dielectric bodies by applying the method of moments(Mon. The piecewise homogeneous dielectric structure is approximated by planar triangular patches. A set of the RWG(Rao, Wilton, Glisson) functions is used for expansion of the equivalent electric and magnetic current densities and a combination of the RWG function and its orthogonal component is used for testing. Numerical results for a dielectric sphere are presented and compared with solutions obtained using other formulations.
박천선(Park, Chun-Sun),한상민(Han, Sang-Min),임종식(Lim Jong-Sik),안달(Ahn Dal),안종출(An, Chong-Chul),박웅희(Park, Ung-Hee) 한국산학기술학회 2008 한국산학기술학회논문지 Vol.9 No.5
본 논문은 절화갈륨 전력 소자를 이용한 이동통신 시스템용 전력증폭기 모듈에 대하여 기술하고 있다. 전치 증폭단, 구동증폭단, 그리고 전력증폭단을 각각 설계, 제작하여 그 성능을 측정하고, 이를 바탕으로 통합 모듈을 설계 하여 5Watt급 GaN 전력증폭기 모듈을 완성하였다. 하모닉 자단과 ACP를 개선하기 위하여 출력측에 결함접지구소를 삼입하였다. 개발된 질화갈륨 전력증폭기의 성능을 측정한 결과, 2.1㎓대역에서 58㏈ 이상의 이득, 37㏈m 이상의 출력,50㏈c 이상의 하모닉 차단, 2-tone 입력시 35㏈c 이상의 1D특성, 그리고 35㏈C 이상의 ACP 특성을 얻었다. This paper describes a developed 5Watt power amplifier module for mobile communication system using Gallium Nitride (GaN) devices. Three amplification stages such as pre-amplifier, driver amplifier, and power amplifier have been fabricated and measured separately in advance for incorporating the total power amplifier module and estimating the performances. In addition, a defected ground structure is combined with the output stage of the power amplifier module for improving harmonic rejection and adjacent channel power (ACP) characteristics. The measured performances of the GaN power amplifier module include 58㏈,min of gain, 37㏈m,min of output power, 50㏈c,min of harmonic rejection, 35㏈c,min of IMD3 for 2-tone input, and 35㏈c,min of ACP at 2.I㎓ frequency band.