http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
열처리 온도에 따른 AZO 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성 분석
고기한(Ki-han Ko),서재근(Jaekeun Seo),이상준(Sang Joon Lee),황채영(Chae-young Hwang),배은경(Eun-kyung Bae),임무길(Moo Kil Lim),최원석(Won Seok Choi) 대한전기학회 2009 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2009 No.7
In this work, transparent conducting Al-doped zinc oxide (AZO) films were prepared on Corning glass substrate by RF magnetron sputtering using an Al-doped ZnO target (Al: 2 wt.%) at room temperature and all films were deposited with athickness of 150 ㎚. We investigated the effects of the post-annealing temperature and the annealing ambient on structural, electrical and optical properties of AZO films. The films were annealed at temperatures ranging from 300 to 500℃ in steps of 100℃ using rapid thermal annealing equipment in oxygen. The thickness of the film was observed by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and grain size was calculated from the XRD spectra using the Scherrer equation and their electrical properties were investigated using a hole measurement and the reflectance of AZO films was investigated by UV?VIS spectrometry.
고기한(Ki-Han Ko),서재근(Jaekeun Seo),김재광(Jaekwang Kim),정호성(Hosung Jung),박영(Young Park),강은규(Eunkyu Kang),최원석(Wonseok Choi) 대한전기학회 2010 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2010 No.7
본 연구에서는 Ni 나노 입자가 합성된 Alumina 세라믹 파우더를 촉매로 활용하여 탄소나노튜브(Carbon nanotubes : CNTs)를 합성하였다. 탄소나노튜브를 합성하기위하여 마이크로웨이브 플라즈마 화학기상증착법(Microwave Plasma Ehanced Chemical Vapor Deposition : MPECVD)을 사용하였으며, 공정 조건에 따른 탄소나노튜브의 성장특성을 조사하였다. 탄소나노튜브의 합성 온도는 400℃, 500℃, 600℃, 700℃로 공정변수로 합성하였다. Ni 촉매층의 활성화를 위해 600℃에서 H₂를 첨가하여 3분동안 전처리를 하였다. 또한, 최적화된 합성온도에서 합성시간에 따라 성장된 탄소나노튜브의 특성에 대해서 연구하였다.