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Thermal ALD 방법으로 증착된 MoN/Mo 박막의 증착 온도 영향성 연구
이백주(B.J. Lee),천민호(M.H. Cheon),이규범(K.B. Lee),서동원(D.W Seo),최재욱(J.W. Choi) 대한전자공학회 2023 대한전자공학회 학술대회 Vol.2023 No.6
본 연구에서는 MoO2Cl2 전구체(고체)를 사용하여 Thermal ALD 방법으로 Mo 박막을 제조하는 연구를 수행하였다. 고체 전구체의 경우 액체 전구체에 비해 증기압이 일정하게 유지되지 않아 공정 조건을 잡는게 어려웠다. 더구나 600℃ 이상의 고온에서의 고체 전구체 사용에는 많은 제약이 따른다. Mo 박막을 증착하기 위한 반응가스는 H2 를 사용하였으며, 증착 온도를 650℃까지 증가하였다. 650℃는 AlN heater의 maximum 공정 온도 조건으로 deposition rate과 resistivity 변화, 표면 morphology 특성을 비교하였다. 증착 온도가 600℃에서 650℃ 로 증가함에 따라 resistivity는 12.9μΩ∙cm수준으로 낮아졌고, 표면 roughness(Rq)가 0.560nm로 증가하였으며, step coverage가 97%가 확인 되었다.