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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저자 : 김호건 ( Sun Min Park (검색결과 1 건)
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        Flux 법에 의한 합성 에메랄드 단결정 육성

        박선민,이철태,김호건 ( Sun Min Park,Chul Tae Lee,Ho Kun Kim ) 한국공업화학회 1996 공업화학 Vol.7 No.1

        합성에메랄드[(BeO)₃(Al_(2-x)Cr_xO₃)(SiO₂)_6]단결정을 flux법에 의하여 육성하였다. 출발물질로 BeO, Al₂O₃와 SiO₂ 시약을 화학양론비로 혼합하여 사용하였다. 에메랄드 단결정의 성장 조건은 다음과 같다. 온도범위 ; 1150∼900℃, 냉각속도 ; 2, 4, 10℃/hr, 융제 ; Li₂CO₃,V₂O_5, 첨가제 ; Cr₂O₃. 에메랄드 단결정의 크기는 2, 4, 10℃/hr의 냉각속도에 의존하였다. 얻어진 에메랄드 단결정을 동정하였고, 그 결과는 다음과 같다. 즉, 결정계 ; 육방정계, 격자상수 ; a=0.921㎚, c=0.917㎚, 결정의 크기 ; 최대 0.80×0.95㎟(c×m), 방위 ; c(1000), m(101￣0). Growth of synthetic emerald[(BeO)₃(Al_(2-x)Cr_xO₃)(SiO₂)_6]single crystals was carried out by flux method. In this study, the starting materials were prepared by stoichiometric mixing of BeO, Al₂O₃ and SiO₂ as reaching components. The conditions for the growth of synthetic emerald single crystals are as follows : temperature range ; 1150∼900℃, cooling rate ; 2, 4, 10℃/hr, flux ; Li₂CO₃, V₂O_5, dopant ; Cr₂O₃ The sizes of Cr₂O₃ emerald single crystals depending on 2, 4, 10℃/ hr cooling rates. The obtained emerald single crystal was characterized and the following results were obtained : lattice parameter ; a=0.921㎚, c=0.917㎚, crystal system ; hexagonal, crystal size ; max. 0.80×0.95㎟(c×m), orientation ; c(1000), m(101￣0).

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