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김영권(Young Guon Kim),김영삼(Young Sam Kim),조대근(Dai Geun Joh),최은하(Eun Ha Choi),조광섭(Guangsup Cho) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.4
플라즈마 잠김 이온 주입에서 플라즈마 덮개의 동력학에 대한 모델로부터 시료면에 주입되는 이온 전류밀도의 시간적인 변화를 해석하였다. 시료에 주입되는 이온의 전류밀도는 플라즈마 덮개의 형성이후 특정 시간에 최대값을 갖게되고, 점차 줄어든다. 이러한 이온 주입 전류밀도의 변화를 이온의 충돌, 시료 면의 충전시간, 그리고 시료 면에 인가되는 파형에 대하여 나타내었다. The time variation of an ion current density has been analyzed based on the plasma particle dynamic model for the plasma immersion ion implantation. The implanted ion current density has its maximum value at a particular time after sheath formation, and decays. The influence of the particle collisions, the capacitive time of the substrate, and the pulse formula has been represented on the implanted ion current.
김영삼(Young-Sam Kim),이상석(Sang-Suk Lee),김영권(Young-Guon Kim),최은하(Eun-Ha Choi),조광섭(Guangsup Cho) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.1
입사 이온과 시료 핵과의 개별 산란 방식으로 이온 산란의 몬테칼로 프로그램을 제작하였다. 이때 시료 원자의 산란 전단면적과 시료 원자들간의 거리는 시료 원자 밀도의 함수로 주어지는 실질적인 크기로 하여 개개의 시료 입자와의 충돌을 계산한다. 이 프로그램을 이용하여 입사 이온에 대한 시료 물질의 스퍼터링의 현상을 입사 이온과 시료와 관련된 변수들의 관계에 대하여 조사하였다. 입사 이온의 질량, 입사 이온의 에너지, 입사각에 따른 스퍼터링 수율과 시료면의 표면 결합에너지에 대한 수율의 변화, 그리고 스퍼터되는 원자의 에너지 분포를 해석하였다. Monte Carlo ion scattering program is improved with the single scattering methods where the total cross section and the mean free path are calculated as a function of atomic density during ion scattering in matter. The relations among the parameters of incident ions and substrate materials are investigated to the sputtering phenomena. The sputtering yield has been analyzed with the dependence on the incident ion species and energy, incident angle, and surface binding energy. The energy distribution of sputtered particles is discussed.
김영삼(Young Sam Kim),김영권(Young Guon Kim),오현주(Hyun Ju Oh),조대근(Dai Geun Joh),길도현(Doh Hyun Gill),김대일(Dae Il Kim),강준길(June Gill Kang),강승언(Seung Oun Kang),최은하(Eun Ha Choi),조광섭(Guangsup Cho) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.4(1)
표면전도 전자방출 표시장치의 표시면으로 흐르는 표시전류의 근원은 음극 표면에서 방출된 전자의 관성력에 의한 것임을 전자 운동 궤적의 계산을 통하여 확인하였다. 마이크로 이하의 전극 간격을 갖는 공면 전극구조에서 음극의 가장자리 면에서 전자의 터널링에 의하여 방출된 대부분의 전자는 동일면상의 양극 쪽으로 면전류가 흐르며, 약 10^(-3)의 비율로 표시면의 양극 쪽으로 표시전류가 흐른다. 이때의 표시전류는 표면의 양쪽 가장자리면 사이의 전기장의 굴곡에 의한 원심력에 의하여 표시면으로 방출되는 전자이다. It is confirmed that the cause of anode current in SEDs (surface conduction electron emission displays) is the inertial force of electron emitted from the cathode surface in the calculation of electron trajectory. In the fissure of sub-micron, most of electrons emitted from the area of the cathode edge flow into the coplanar anode, while some electrons are emitted into the display surface by the current ratio of 10^(-3). The later electrons are forced to fly into the display surface by the centrifugal force due to the curved electric field between top side surfaces near the fissure.