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전자빔 증착법으로 증착한 MgO - CaO 박막의 교류형 PDP 보호막 적용을 위한 저전압 특성 연구
조진희(Jinhui Cho),김락환(Rackhwan Kim),이경우(Kyoung-Woo Lee),김정열(Jung-Yeul Kim),김희재(Hee-Jae Kim),박종완(Jong-Wan Park) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.1
Plasma Display Panel(PDP)에서 보호막 물질로 사용중인 MgO의 특성을 개선하기 위하여 본 연구에서는 MgO-CaO 박막을 전자빔 증착법으로 제조하였다. MgO의 최대 증착속도는 1025 Å/min이었으며 CaO 첨가비가 증가함에 따라 증착속도는 감소하였고, XRD 패턴은 전체적 으로 낮은 2θ각 방향으로 이동하였다. MgO에 대한 CaO의 최대 고용도는 0.13이다. 최적전압특정을 나타낸 조성은 Mg 47.1 at%, Ca 1.3 at%, O 51.6 at%이었으며 이때 방전개시전압은 176 V, 메모리마진은 0.5였으며 증착속도는 515 Å/min이었다. MgO-CaO protective layers with various composition were prepared by electron beam evaporation to improve the characteristics of conventional pure MgO thin films as a protective layer for AC-PDP. The maximum deposition rate of pure MgO was 1025 Å/min and decreased with increasing [(CaO / (MgO + CaO)] ratio of evaporation starting materials. From XRD analyses, a trend of peak shift to the lower 2θ angle side was shown as CaO content increased and it stoped when the concentration of CaO was 0.13, which corresponds to the maximum solubility of CaO in MgO. The optimum composition of the protective thin films was Mg 47.1 at%, Ca 1.3 at%, O 51.6 at%, and firing voltage, memory margin and deposition rate of the film with this composition was 176 V, 0.5 and 515 Å/min, respectively.