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Pulsed I-V 측정과 DC 측정을 통한 WSe₂ FET특성에서 수소 열처리 효과 분석
이성태(Sung-Tae Lee),조인탁(In-Tak Cho),강원묵(Won-Mook Kang),박병국(Byung-Gook Park),이종호(Jong-Ho Lee) 대한전자공학회 2016 대한전자공학회 학술대회 Vol.2016 No.6
The effect of hydrogen annealing on the I-V curves of WSe2 FET are investigated through Pulsed I-V(PIV) and DC measurement. It is shown that hydrogen annealing reduces the interface states resulting in reduced hysteresis and improved subthreshold swing. In addition, hydrogen annealing results in less difference between on-current measured by PIV and DC measurement.