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강성관(S. K. Kang),고대홍(D.-H. Ko),오상호(S. H. Oh),박찬경(C. K. Park),이기철(K. C. Lee),양두영(D. Y. Yang),안태항(T. H. Ahn),주문식(M. S. Joo) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.4
15%와 42%의 Ge 함량을 갖는 poly Si_(1-x)Ge_x 박막을 700℃의 습식 산화 분위기에서 산화 공정을 진행하고, 박막의 산화 거동을 RBS, XPS, cross-sectional TEM으로 분석하였다. Poly Si_(0.85)Ge_(0.15) 박막의 경우, GeO₂에 비해 열적으로 안정한 SiO₂가 우천 생성되고, 반응에 참여하지 못한 Ge은 산화막과 poly Si_(1-x)Ge_x 박막의 계면에 축적되어 산화막 하부의 Ge 농도가 증가함을 확인하였다. Poly Si_(0.58)Ge_(0.42) 박막의 경우, 산화막내에 많은 양의 Ge이 GeO₂와 Ge의 형태로 존재하였고, 이러한 GeO₂의 형성으로 인해 산화속도의 증가를 확인하였다. 이러한 분석 결과를 바탕으로 Ge 함량 증가에 따른 poly Si_(1-x)Ge_x 박막의 산화 모델을 제 시하였다. We investigated the oxidation behavior of poly Si_(1-x)Ge_x films (X=0.15, 0.42) at 700℃ in wet oxidation ambients and analyzed the oxide by XPS, RBS, and cross-sectional TEM. In the case of poly Si_(0.85)Ge_(0.15) films, SiO₂ was formed on the poly Si_(1-x)Ge_x films and Ge was rejected from growing oxide, subsequently leading to the increase of Ge content. In the case of poly Si_(0.58)Ge_(0.42) films, we found that SiO₂-GeO₂ were formed on the poly Si_(1-x)Ge_x films due to high Ge content. Finally, we proposed the oxidation model of poly Si_(1-x)Ge_x films.
멀티레벨 PWM ac/dc 컨버터의 향상된 단락보호기법 해석
강성관(S. K. Kang),노의철(E. C. Nho),김인동(I. D. Kim),조철제(C. J. Joe),전태원(T. W. Chun),김흥근(H. G. Kim) 전력전자학회 2001 전력전자학술대회 논문집 Vol.2001 No.7
This paper describes an improved short-circuit protection for a multilevel ac/dc power converter. The output dc power of the proposed converter can be disconnected from the load within several hundred microseconds at the instant of short-circuit fault. Once the fault has been cleared the dc power is reapplied to the load. The rising time of the dc load voltage is as small as several hundred microseconds, and there is no overshoot of the dc voltage because the dc output capacitors hold undischarged state. Therefore, the proposed converter can be used for a power supply, which requires a rapid disconnection of the load from the power supply in the case of a short circuit, as well as a rapid connection the load to the power supply after the clearance of the short circuit condition.
대전력 3상 유도전동기의 고정자권선을 이용한 전압원 인버터의 병렬운전
김보경(B. K. Kim),문상호(S. H. Moon),강성관(S. K. Kang),김인동(I. D. Kim),노의철(E. C. Nho),전성즙(S. J. Jeon) 전력전자학회 2001 전력전자학술대회 논문집 Vol.2001 No.7
본 논문에서는 고압 대전력 3상 유도전동기의 고정자 권선을 이용한 전압원 인버터의 병렬운전 방식을 제안한다. 현재 사용되고 있는 대부분의 4극 이상 대전력 유도전동기는 각 상의 권선이 외부에서 접근이<br/> 가능하도록 외부단자가 설치되어 있으며, 이들 외부 단자를 이용하여 복수대의 전압원 인버터를 병렬운전하여 대전력 유도전동기를 구동할 수 있다. 이와 같이 고압 대전력 유도전동기를 복수 대의 전압원 인버<br/> 터를 병렬 운전하여 구동할 경우 , 특정 인버터의 고장발생 시 비록 구동 토크는 감소될지라도, 나머지 인버터로 시스템을 계속 구동할 수 있어 시스템의 고장대처능력을 향상시킬 수 있다. 또한 병렬 운전되고 있는 각 인버터의 스위칭 동작에 대해 서로 위상 차를 갖게 함으로서, 등가 스위칭 주파수를 증가시켜 출력 토크 리플 감소와 입력 전류 리플 감소 , DC Lmk 커패시터의 크기 감소와 같은 좋은 특성을 얻 을 수 있다. 또한 각 인버터로의 전력의 분산에 의해 시스템에서 발생하는 EMI 영향을 감소시킬 수 있다.<br/> 본 논문에서는 제안한 방식을 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 특성을 증명하였다.
석진규(J.K. Seok),강성관(S.K. Kang),송웅협(W.H. Song),조원우(W.W. Jo),노의철(E.C. Nho),김인동(I.D. Kim),전태원(T.W. Chun),김홍근(H.G. Kim) 전력전자학회 2009 전력전자학술대회 논문집 Vol.2009 No.1
This paper deals with a welding time for a spot welding system. Conventional welding machine adopts several tens of switching devices connected in parallel to obtain a short welding time. This paper analyzed a welding system consisting with 4 IGBT switchs for a full-bridge inverter and conventional 60 [Hz] transformer. The simulation and experimental results show that the welding time can be minimized to 5 [ms] with the proposed scheme.
열처리에 따른 Y₂O₃박막의 미세 구조 변화와 전기적 특성 변화에 대한 고찰
정윤하(Y. H. Jung),강성관(S. K. Kang),김은하(E. H. Kim),고대홍(D. H. Ko),조만호(M. H. Cho),황정남(C. N. Whang) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.3(1)
p-type Si (100) 기판 위에 습식 산화법으로 SiO₂ 층을 형성한 후, Ionized Cluster Beam(ICB) 증착 방법으로 200 Å 두께의 Y₂O₃ 박막을 증착 하였다. Y₂O₃ 박막이 증착 된 시편을 산소, 아르곤 분위기에서 열처리한 후, Atomic Force Microscopy(AFM)과 Transmission Electron Microscopy(TEM)을 사용하여 Y₂O₃ 박막의 표면과 계면을 관찰하였다. 열처리를 수행한 후 Y₂O₃ 박막과 Si 기판 사이에서 SiO₂층이 성장하고, 이트륨실리 케이트 층이 형성되는 것을 관찰할 수 있었다. 산소 분위기에서 열처리를 수행한 시편의 Y₂O₃ 박막 표면을 관찰한 결과, 표면 상부에 아르곤 분위기에서 열처리한 시편에서는 보이지 않았던 새로운 상이 형성되었음을 알 수 있었다. 또한 전기적 특성을 측정하기 위하여 Al/Y₂O₃/p-type Si (100) 의 캐패시턴스-전압 특성을 관찰하였고, 그 결과 Y₂O₃ 박막의 유전 상수 값이 약 9정도임을 알 수 있었다. We investigated the interfacial reactions between the Y₂O₃ film deposited by ICB processing and p-type (100) Si substrates upon annealing treatments in O₂ and Ar gas ambients. We also investigated the evolution of surface morphology of ICB deposited Y₂O₃ films upon annealing treatments. We observed that the root-mean-square (RMS) value of surface roughness measured by AFM increased with annealing time at 800℃ in O₂ ambient, while the change of surface roughness was not observed in Ar ambient. We also found the growth of SiO₂ layer and the formation of yttrium silicate layer. From the capacitance values (C_(acc)) measured by C-V measurements, the relative dielectric constant of Y₂O₃ film in metal-insulator-semiconductor (MIS) structure was estimated to be about 9.