http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
RISS 인기검색어
- 검색키워드
- 저자 : Y. Imaizumai(Y. Imaizumai) (검색결과 1 건)
- 무료
- 기관 내 무료
- 유료
-
박영배(Young-Bae Park),이시우(Shi-Woo Rhee),Y. Imaizumai(Y. Imaizumai),T. Urisu(T. Urisu) 한국진공학회(ASCT) 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.2
방사광의 조사가 원거리 플라즈마 화학증착법으로 저온에서 증착된 산화막에 미치는 영향에 대하여 연구를 수행하였다. 본 연구에서 방사광 조사시의 온도는 방사광에 의한 온도 증가 효과를 배제하기 위하여 373K 이하로 유지하였다. 방사광 조사시 산화막의 구조변화를 in-situ로 관찰하기 위하여 IRAS를 이용하였으며, 온도가 증가함에 따라서 산화막이 불균일하게 변화하며 산화막의 구조가 느슨해지는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 구조의 변화는 산화막 표면성분의 표면 이동에 의한 것으로 AFM, ex-situ IRAS와 FT-IR에 의하여 확인할 수 있었다. 이러한 결과로부터 열효과 배제시 방사광 조사가 산화막 구조 변화에 미치는 반응 메카니즘을 제시하였다. Effect of synchrotron radiation (SR) irradiation on SiO₂, and SiO₂/Si interface prepared by remote plasma CVD at low temperature was studied. Irradiation temperature was fixed below 373K to exclude the thermal effect induced by SR and in-situ infrared reflection absorption spectroscopy (IRAS) was used to clarify the SiO₂, structural change. As the temperature was increased, SiO₂, structure became loose due to the migration of atoms induced by irradiation. Also the surface roughening due to the migration was observed with AFM. The change in SiO₂, structure and SiO₂/Si interface was also confirmed by ex-situ IRAS and ex-situ FT-IR.
연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
