RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      검색결과 좁혀 보기

      선택해제
      • 좁혀본 항목 보기순서

        • 원문유무
        • 원문제공처
        • 등재정보
        • 학술지명
        • 주제분류
        • 발행연도
        • 작성언어
        • 저자
          펼치기

      오늘 본 자료

      • 오늘 본 자료가 없습니다.
      더보기
      • 무료
      • 기관 내 무료
      • 유료
      • KCI등재

        직선 이동용 나노 미세 이동장치의 제작

        정구은,강세종,Jung, Goo-Eun,Kahng, Se-Jong 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.5

        신뢰도 높은 나노 직선 이동장치를 제작하였다. 장치는 기본 몸체에 고정된 6개의 피에조 다리들과 이들이 붙잡고 있는 사파이어 육각기둥으로 이루어 졌다. 특정한 전압파형을 피에조 다리에 인가하여 피에조 다리를 순차적으로 움직임으로 육각기둥을 앞으로 혹은 뒤로 움직인다. 직선 이동장치를 지표면에 수직 방향으로 시험구동 하였다. 육각기둥이 수 mm를 움직이는 동안 속도가 일정함을 확인하였다. 위쪽으로 올라가는 가장 느린 속도는 $1.7{\times}10^{-6}m/s$, 즉 ${\sim}28.3nm$/걸음이었고 아래쪽으로 내려가는 가장 느린 속도는 중력의 도움을 받아 ${\sim}3.7{\times}10^{-6}m/s$, 즉 ${\sim}61.7nm$/걸음 이었다. 피에조에 인가된 전압을 증가시키면 육각기둥의 이동속도가 선형으로 증가하였다. 이 직선 이동장치를 주사형 터널링 현미경의 접근 장치로 사용할 것이다. A reliable linear translation system was constructed. The system has six piezo legs, attached to a main body, holding a hexagonal sapphire rod. The sapphire rod moves either forward or backward with the sequential motion of the piezo legs, driven by characteristic electric voltage waves. The translational system was tested in vertical direction. The speed of the sapphire rod was turned out to be constant during several mm travel. The slowest upward speed was measured to be ${\sim}1.7{\times}10^{-6}m/s$, yielding ${\sim}28.3nm/step$, while the slowest upward speed was ${\sim}3.7{\times}10^{-6}m/s$, with ${\sim}61.7nm/step$, due to gravitational force. The velocity increases linearly, as the amplitude of the voltage waves increases. The linear translation system will be used as a coarse approach part for a scanning tunneling microscope.

      • KCI등재

        Epitaxial Growth of Graphene by Surface Segregation and Chemical Vapor Deposition on Ru(0001) Studied with Scanning Tunneling Microscopy

        장원준,강세종,Jang, Won-Jun,Kahng, Se-Jong The Korean Vacuum Society 2013 Applied Science and Convergence Technology Vol.22 No.6

        금속 기판 위에 성장한 그래핀은 원자구조와 전자구조 연구에 우수한 기반이 된다. 그래핀은 금소 기판에서 탄소의 surface segregation 이나 chemical vapor deposition으로 성장할 수 있는데, 이 두 방법의 성장 양상에 대한 비교 연구는 아직까지 없었다. 본 연구에서는 surface segregation, 흡착된 에틸렌의 post-annealing, 에틸렌의 high-temperature dose 등 3 방법으로 성장한 그래핀의 성장구조를 주사형 터널링 현미경으로 연구했다. 처음 2종류의 방법에서는 $100nm^2$ 수준의 작은 그래핀 영역이 나타났고, 3 번째 방법에서는 $10^4nm^2$ 보다 큰 그래핀이 육각형 무아레 무늬와 함께 타나났다. 본 연구에서는 에틸렌의 high-temperature dose 방법이 추가적인 분자성장 등에 필요한 넓은 그래핀을 성장하기에 가장 좋은 방법임을 보였다. Epitaxial graphene on metal substrates provides excellent platforms to study its atomic and electronic structures, and can be grown either by surface segregation of carbon or by chemical vapor deposition. The growth behaviors of the two methods, however, have not been directly compared each other. Here, we studied domain structures of graphene grown by three different methods, surface segregation, post-annealing with adsorbed ethylene, and high-temperature dose of ethylene, using scanning tunneling microscopy. The first two methods resulted in graphene regions with areas of $100nm^2$, whereas the third method showed large area graphene (> $10^4nm^2$) with regular hexagonal Moire patterns, implying that high-temperature dose of ethylene is preferable for further studies on graphene such as additional growth of organic molecules.

      • KCI우수등재

        Epitaxial Growth of Graphene by Surface Segregation and Chemical Vapor Deposition on Ru(0001) Studied with Scanning Tunneling Microscopy

        Won-Jun Jang(장원준),Se-Jong Kahng(강세종) 한국진공학회(ASCT) 2013 Applied Science and Convergence Technology Vol.22 No.6

        금속 기판 위에 성장한 그래핀은 원자구조와 전자구조 연구에 우수한 기반이 된다. 그래핀은 금소 기판에서 탄소의 surface segregation 이나 chemical vapor deposition으로 성장할 수 있는데, 이 두 방법의 성장 양상에 대한 비교 연구는 아직까지 없었다. 본 연구에서는 surface segregation, 흡착된 에틸렌의 post-annealing, 에틸렌의 high-temperature dose 등 3 방법으로 성장한 그래핀의 성장구조를 주사형 터널링 현미경으로 연구했다. 처음 2종류의 방법에서는 100 ㎚² 수준의 작은 그래핀 영역이 나타났고, 3 번째 방법에서는 10⁴ ㎚² 보다 큰 그래핀이 육각형 무아레 무늬와 함께 타나났다. 본 연구에서는 에틸렌의 high-temperature dose 방법이 추가적인 분자성장 등에 필요한 넓은 그래핀을 성장하기에 가장 좋은 방법임을 보였다. Epitaxial graphene on metal substrates provides excellent platforms to study its atomic and electronic structures, and can be grown either by surface segregation of carbon or by chemical vapor deposition. The growth behaviors of the two methods, however, have not been directly compared each other. Here, we studied domain structures of graphene grown by three different methods, surface segregation, post-annealing with adsorbed ethylene, and high-temperature dose of ethylene, using scanning tunneling microscopy. The first two methods resulted in graphene regions with areas of 100 ㎚², whereas the third method showed large area graphene (>10⁴ ㎚²) with regular hexagonal Moire patterns, implying that high-temperature dose of ethylene is preferable for further studies on graphene such as additional growth of organic molecules.

      연관 검색어 추천

      이 검색어로 많이 본 자료

      활용도 높은 자료

      해외이동버튼