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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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ㅥ ㅦ ㅧ ㅨ ㅩ ㅪ ㅫ ㅬ ㅭ ㅮ ㅯ ㅰ ㅱ ㅲ ㅳ ㅴ ㅵ ㅶ ㅷ ㅸ ㅹ ㅺ ㅻ ㅼ ㅽ ㅾ ㅿ ㆀ ㆁ ㆂ ㆃ ㆄ ㆅ ㆆ ㆇ ㆈ ㆉ ㆊ ㆋ ㆌ ㆍ ㆎ
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      저자 : Jinmeng Dai (검색결과 1 건)
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        Direct bandgap type-I Ge quantum dots/GeSnSi for SWIR and MWIR lasers

        Liyao Zhang,Peng Yu,Shuang Yao,Duo Feng,Jinmeng Dai 대한금속·재료학회 2022 ELECTRONIC MATERIALS LETTERS Vol.18 No.1

        A direct bandgap type-I Ge QDs/Ge1−y−zSnySiz double-heterostructure on Ge1−xSnx virtual substrates is proposed for SWIRand MWIR lasers. The Ge1−y−zSnySiz barrier is lattice-matched to Ge1−xSnx. The band structures are calculated with differentto Sn contents in Ge1−y−zSnySiz and Ge1−xSnx. The band edge energies of Ge QDs vary linearly with x, and independent withy. The Γ-valley is below L-valley when x exceeds 7.5%. The ground states of electrons of Γ- and L-conduction band varieswith both x and y. High x and y can increase the conduction band offsets and decrease the valence band offsets. Emissionwavelengths range from 1.91 to 4.6 μm are achieved from the proposed structure with proper Sn contents.

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