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소혜미(Hye-Mi So),박철민(Cheolmin Park),장원석(Won Seok Chang) 대한기계학회 2014 大韓機械學會論文集B Vol.38 No.7
일반적으로 표면적/부피비가 큰 전도성 다공체는 수퍼캐패시터의 전극이나 흡수제, 유연히터 등의 다양한 분야에 적용되어 왔다. 본 논문에서는 이러한 전도성 다공성 구조의 역학적·전기적 특성을 이용하여 고감도 압력센서를 구현하였다. 탄소나노튜브 용액에 스펀지를 적셔 다공체에 전도성을 부여하였으며, 압력에 따른 전도성 다공체의 저항 변화를 측정하였다. 전도성 스펀지에 압력이 가해졌을 때, 각각의 탄소나노튜브들은 서로 맞붙게 되어 저항이 최대 20%까지 줄어듦을 확인하였다. 부드럽고 탄성력이 뛰어난 탄소나노튜브 스폰지는 반복적인 압축실험에도 모양의 변형 없이 매우 빠르게 안정화되고 일정한 저항변화를 확인할 수 있었다. 또한 스펀지 압력소자를 유연소자에 적용하기 위하여 탄소나노튜브 트랜지스터와 연결하여 외부압력에 따른 전기적 특성변화를 측정하였다. Porous conductors are known to demonstrate excellent electrical, mechanical, and chemical resistance. These porous conductors demonstrated potential applications in various fields such as electrodes for supercapacitors, flexible heaters, catalytic electrodes, and sorbents. In this study, we described a pressure sensitive device using conductive and porous sponges. With an extremely simple “dipping and drying” process using a single-walled carbon nanotube (SWCNT) solution, we produced conductive sponges with sheet resistance of < 30 kΩ/sq. These carbon nanotube sponges can be deformed into any shape elastically and repeatedly compressed to large strains without collapse. The pressure sensors developed from these sponges demonstrated high resistance change under pressure of up to a half of their initial resistance.
화학적/전기적 처리를 통한 탄소 나노튜브 트랜지스터의 성능향상 기술 개발
이정오(Jeong-O Lee),소혜미(Hye-Mi So),김병계(Byoung ?Kye Kim),김주진(Ju-Jin Kim) 대한기계학회 2005 대한기계학회 춘추학술대회 Vol.2005 No.11
We have used electrical breakdown and chemical functionalization method to improve the performance of carbon nanotube field effect transistors. Single-walled carbon nanotube transistors (SWNT-FET) were fabricated with patterned growth technique and photolithography. Electrical breakdown is an excellent technique to tailor the single nanotube devices, but it is not cost effective compared with chemical functionalizations. Chemical functionalizations using diazonium salts and nitronium ions were also tried, and higly improved device performances observed from nitronium-treated SWNT-FETs.