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        SiC/Co 반응의 계면화학

        임창성,Hubertus Nickel 한국결정성장학회 1995 韓國結晶成長學會誌 Vol.5 No.2

        SiC/Co 반응커플을 Ar/4 vol% $H_2$분위기하에서 $950^{\circ}C$에서 $1250^{\circ}C$ 범위에서 4시간에서 100시간까지 열처리하였다. $950^{\circ}C$ 이상의 온도에서의 고상반응으로 여러 가지 규소화물과 탄소석출이 형성되었다. 이 반응 zone에 있어서의 전형적인 반응층의 순서는 $SiC/CoSi + C/Co_2Si + C/Co_2Si/Co_2Si + C/{\cdots\cdots}/Co_2Si/Co$이었다. 그리고 탄소 석출거동을 동반한 주기적인 띠구조의 형성기구가 반응운동학과 열역학적인 고찰을 통하여 조사되어졌고 논하여졌다. 이 반응의 zone의 서장은 시간의 함수관계를 가지며 이러한 반응운동학이 반응상수의 측정을 통하여 제시되어진다. 또한 microhardness 측정을 통하여 반응 zone의 기계적인 물성이 조사되어졌다. Reaction coulples of SiC with cobalt were annealed in an Ar/4 vol% $H_2$ atmosphere at temperatures between $950^{\circ}C$ and $1250^{\circ}C$for various times between 4 and 100 h. At temperatures above $950^{\circ}C$, solid state reactions lead to the formation of various silicides with carbon precipitates. The typical reaction layer sequence was $SiC/CoSi + C/CozSi + C/CozSi/CozSi + C/{\cdot\cdot\}/CO_2Si/CO$ in the reaction zone. The mechanism of the periodic band structure formation with the carbon precipitation behaviour was examined and discussed in terms of reaction kinetics and thermodynamic considerations. The growth of the reaction zone has a square root of time dependence. The reaction kinetics is proposed to estimate the effective reaction constant from the parabolic gowth of the reaction zone. The mechanical properties of the reaction zones were determined by the microhardness test.

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