도플러 넓어짐 스펙트럼을 이용한 희토류 증감지 결함 특성

이종용,김창규,송기영,김재홍,Lee C. Y.,Kim C. G.,Song G. Y.,Kim J. H. 한국재료학회 2005 한국재료학회지 Vol.15 No.6

Doppler broadening spectrometer for positron annihilation experiment(DBPAS) has been used to characterize nano size defect structures in materials. DBPAS measures the concentration, spatial distribution, and size of open volume defects in the rare-earth intensifying screen materials. The screens were exposed by X-ray varying the exposed doses from 3, 6, 9, and 12 Gy with 6 W and 15 MV respectively and also irradiated by 37 MeV proton beams ranging from 0 to $10^{12}ptls$. The S parameter values increased as the exposed time and the energies increased, which indicated the defects were generated more. The S parameters of the samples with X-rays varied from 0.5098 to 0.5108, on the other hand, as proton beams varied from 0.4804 to 0.4821.

양전자 소멸 측정에 의한 n, p형 실리콘 구조 특성

이종용,Lee, C.Y. 한국진공학회 2012 Applied Science and Convergence Technology Vol.21 No.5

수명 측정법과 동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 p형과 n형 실리콘 시료에 3.98 MeV 에너지를 가진 $0.0{\sim}20.0{\times}10^{13}\;protons/cm^2$ 양성자 빔 조사에 의한 결함을 측정하여 실리콘 결함 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 감마선 스펙트럼의 전자 밀도 에너지를 수리적 해석 방법인 S-변수와 열린 부피 결함에 대한 측정법으로서 양전자 수명 ${\tau}_1$과 ${\tau}_2$, 이에 따른 밀도 $I_1$과 $I_2$를 사용하여, 시료의 구조 변화를 측정하였다. 본 연구에서 측정된 S-변수와 양전자 수명은 시료에 조사된 양성자 조사량의 변화에 따라 결함이 증가하였으며, 양전자 수명 측정과 같은 경향을 보여준다. SRIM의 결과로써, 양성자 조사 에너지에 따른 Bragg 피크 때문에 양성자는 시료의 특정 깊이에 주로 결함을 형성하여 시료 전체에는 결함으로 잘 나타나지 않기 때문이다. 빔의 조사량에 따른 결함의 영향이 더 큰 것으로 나타났다. It is described that the proton beam induceds micro-size defects and electronic deep levels in n or p type single crystal silicon. Positron lifetime and Coincidence Doppler Broadening Positron Annihilation Spectroscopy were applied to study of characteristics of p type and n type silicon samples. In this investigation the numerical analysis of the Doppler spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the spectrum and the total counts of whole spectrum. The samples were exposed by 3.98 MeV proton beams ranging between 0 to ${\sim}10^{14}$ particles. The S-parameter values strongly depend on the irradiated proton beam, that indicated the defects generate more. Positron lifetime shows that positrons trapped in vacancies and lifetime ${\tau}_2$ increased according to proton irradiation.

저에너지 양전자 소멸 분광법을 이용한 Nb₃Ge 박막 특성

이종용,배석환,Lee, C.Y.,Bae, S.H. 한국진공학회 2010 Applied Science and Convergence Technology Vol.19 No.6

저속 에너지 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 $Nb_3Ge$ 시료내의 원자 크기 정도 고체 구조 특성에 대하여 조사하였다. A15 화합물 구조로 된 $Nb_3Ge$ 시료를 상온에서 초전도 특성을 갖는 상전이 온도 근처의 S-변수를 측정하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 511 keV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 상전이 근처 온도에서 박막의 구조 변화를 측정하였다. 양전자의 입사 에너지에 따른 S-변수는 0.598에서 0.594로 온도의 변화에 의하여 감소하였으며 이때 초전도 전이와는 무관함을 나타낸다. 고온으로 갈수록 일반적인 트랩핑 비율은 커지고 양전자 흐름은 공공(voids) 근처에서 소멸하는 것이 보였다. 이 결과로부터 양전자가 초전자와 소멸하기 보다는 상전자와 소멸하는 것으로 판단된다. Enhance signal-to-noise ratio, slow positron coincidence Doppler Broadening method has been applied to study of characteristics of $Nb_3Ge$ superconductor film, which were performed from 20 K to 300 K sample temperature near Tc of it. In this investigation the numerical analysis of the Doppler spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the spectrum and the total counts of whole spectrum. The S-parameter values between 0.598 and 0.594 were decreased while the temperature were decreasing, that indicated the voids into the samples. The temperature dependence came from specific positron trapping rate into the vacancy-type defects. It is believed that the positrons annihilate with normal-electrons instead of super-electrons in the Nb3Ge superconductor.

Gd₂O₂S:Tb의 동시 계수 도플러 양전자 소멸법에 의한 결함 특성

이종용,배석환,김재홍,권준현,Lee, C.Y.,Bae, S.H.,Kim, J.H.,Kwon, J.H. 한국재료학회 2006 한국재료학회지 Vol.16 No.7

Coincidence Doppler Broadening (CDB) of positron annihilation spectroscopy was applied to analyze defects in the chemical state of Department of Physics, $Gd_2O_2S$:Tb intensifying screens. The screen samples were irradiated by 80 MV X-rays in hospital and were used for 0, 2, 4, and 6 years respectively. There was a positive relationship between the S-parameter values and time of exposure to X-rays. Most of the defects were indicated to have been generated by X-rays. A 1D CDB was developed in order to reduce the background noise, and the S-parameter values of the $Gd_2O_2S$:Tb intensifying screens, using the 1D CDB, varied between 0.4974 and 0.4991.

미국의 망세분화 동향 및 시사점

이종용,권수천,Lee, J.Y.,Kweon, S.C. 한국전자통신연구원 2003 전자통신동향분석 Vol.18 No.1

FCC는 통신법(1996)에서 시내망(local network)의 경쟁활성화를 위한 조치로 상호접속과 시내서비스 재판매와 함께 UNEs를 의무화하였다. 미국의 경우 ILECs이 CLECs에게 제공해야 할 UNEs에는 기본적으로 가입자선로를 포함하여 시내교환기, 탄뎀교환기 등 7가지가 있다. 여기에서 가입자선로의 주문, 제공, 유지보수, 과금에 사용되는 OSS에 대한 접속을 제공하도록 하고 있는 것은 다른 국가에 비해 독특한 내용이다. 2002년 현재 FCC는 UNEs의 도입 이후 지금까지의 성과에 대하여 검토하고 있으며 아울러 시내서비스부문의 경쟁을 더욱 촉진하기 위해 기존 UNEs 관련 규정들을 재검토하고 있다. 본 연구에서는 미국의UNEs 제공대가의 산정방식 및 기술적, 운영적 문제 등 주요 이슈를 검토하였다. 그리고, UNEs 도입 이후미국의 통신시장 변화와 UNEs의 재검토 과정에서 제시되고 있는 주요 의견들을 검토하였다.

저에너지 양전자 소멸 분광법을 이용한 Nb₃Ge 박막 특성

이종용(C. Y. Lee),배석환(S. H Bae) 한국진공학회(ASCT) 2010 Applied Science and Convergence Technology Vol.19 No.6

저속 에너지 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 Nb3Ge 시료내의 원자 크기 정도 고체 구조 특성에 대하여 조사하였다. A15 화합물 구조로 된 Nb3Ge 시료를 상온에서 초전도 특성을 갖는 상전이 온도 근처의 S-변수를 측정하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 511 keV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 상전이 근처 온도에서 박막의 구조 변화를 측정하였다. 양전자의 입사 에너지에 따른 S-변수는 0.598에서 0.594로 온도의 변화에 의하여 감소하였으며 이때 초전도 전이와는 무관함을 나타낸다. 고온으로 갈수록 일반적인 트랩핑 비율은 커지고 양전자 흐름은 공공(voids) 근처에서 소멸하는 것이 보였다. 이 결과로부터 양전자가 초전자와 소멸하기 보다는 상전자와 소멸하는 것으로 판단된다. Enhance signal-to-noise ratio, slow positron coincidence Doppler Broadening method has been applied to study of characteristics of Nb₃Ge superconductor film, which were performed from 20 K to 300 K sample temperature near Tc of it. In this investigation the numerical analysis of the Doppler spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the spectrum and the total counts of whole spectrum. The S-parameter values between 0.598 and 0.594 were decreased while the temperature were decreasing, that indicated the voids into the samples. The temperature dependence came from specific positron trapping rate into the vacancy-type defects. It is believed that the positrons annihilate with normal-electrons instead of super-electrons in the Nb₃Ge superconductor.

저에너지 양전자 소멸 분광법을 이용한 MgB₂ 박막 구조 특성

이종용(C. Y. Lee),강원남(W. N. Kang),M. Hasegawa,Y. Nagai,K. Inoue 한국진공학회(ASCT) 2008 Applied Science and Convergence Technology Vol.17 No.2

저속 에너지 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 MgB₂ 박막내의 원자 크기 정도 고체 구조 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 511keV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 상전이 근처 온도에서 박막의 구조 변화를 측정하였다. 비등방성 구조로 된 MgB₂ 박막에서 초전도 특성을 갖는 상전이 온도 근처에서 S-변수를 측정하였다. 양전자의 입사 에너지 10keV에서 측정된 S-변수의 최고치는 박막의 온도가 30K에서 0.567이고, 50 K에서는 0.570로 큰 변화는 없었다. 이 결과로부터 양전자가 Boron 층의 초 전자와 소멸하기 보다는 Mg층 근처의 상 전자와 소멸하는 것으로 판단된다. MgB₂의 박막의 외층은 Mg층으로 이루어졌다고 할 수 있다. Enhance signal-to-noise ratio, slow positron coincidence Doppler Broadening method has been applied to study of characteristics of MgB₂ superconductor film, which were performed at 30 K and 50 K sample temperature near Tc of it. In this investigation the numerical analysis of the Doppler spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the spectrum and the total counts of whole spectrum. The S-parameter values were increased then decreased while the positron implantation energies were increasing, that indicated the diffusion into the samples. The S-parameters of the anisotropic 1 ㎛ MgB₂ thin film which were implanted by positrons at 10 keV are 0.567 at 30 K and 0.570 at 50 K. It is believed that the positrons annihilate with normal-electrons instead of super-electrons in the MgB₂ superconductor.

양전자 소멸 분광법을 이용한 Gd₂O₂S : Tb 결함 특성

이종용(C. Y. Lee),김창규(C. G. Kim) 한국진공학회(ASCT) 2004 Applied Science and Convergence Technology Vol.13 No.2

양전자 소멸 분광법으로 시료에서 원자 크기 정도 결함의 특성을 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸에서 발생하는 511 KeV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 결함의 정도를 측정하였다.<br/> 임상에서 X-선 증감지로 0, 2, 4, 6년 동안 사용한 시료를 실험하였다. 각 시료들에서 측정된 S-변수는 0.4932부터 0.4956 정도의 변화를 보였다. 이에 상응하는 실험 방법으로 같은 시료에 X-선의 에너지와 조사시간 즉 6 MV 및 15 MV의 X-선을 사용하여 3, 6, 9, 그리고 12 Gy의 조사량을 변화시키면서 결함의 정도를 측정 비교하였다. DBPAS has been used to characterize atomic size defect structures in materials. In this investigation the numerical analysis of the Doppler spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the spectrum and the tota1 counts of whole spectrum.<br/> As the samples were exposed by X-ray increasing the exposed doses from 3, 6, and 9 Gy with 6 MV and 15 MV, respectively and also irradiated by X -ray as the medical applications used for in 0, 2, 4 and 6 years. The S-parameter values were increased as increasing the exposed time and the energies, that indicated the defects generate more. The S-parameters of the samples with medical treatment is varied from 0.4932 to 0.4956.

백금 결정 성장시 줄무늬 구조 제어

이종용(C.Y. Lee),송기영(K.Y. Song),J. Vuillemin 한국진공학회(ASCT) 1996 Applied Science and Convergence Technology Vol.5 No.4

백금 결정을 고주파(RF) 부유띠 용융법에 의하여 성장 시켰으며 성장하는 동안 직류 전류를 걸어 줌으로써 백금에서 나타날 수 있는 하부구조의 개선을 도모하였다. 직류 전류와 성장 방향에 따라 백금 결정을 성장 시킴에 있어서 하부 구조에 영향을 준다는 것이 확인되었다. 백금 결정에 있어서의 줄 무늬 구조는 불안정하였으며 이것은 어닐링 방법에 의해서도 제거 될 수 있다는 결과를 얻었다. The study has been performed that the high purity of platinum crystal was grown by rf floating zone refined technique. Direct electric current was also present to examine the controlling striated structure during the sample grown. It has been proved that current and orientation could affect suppression of the striation structure in Pt. Substructure in Pt was thermally unstable and was able to be removed by the annealing technique.

직접 구동 로보트 팔에 대한 자기동조 극점이동 제어기

이상철(S. C. Lee),이종용(C. Y. Lee),이상효(S. H. Lee) 제어로봇시스템학회 1989 제어로봇시스템학회 국내학술대회 논문집 Vol.1 No.10