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실시간 X-선 산란을 이용한 p-GaN 위에 Ni/Au 오믹 접촉의 산화과정 연구
이성표,장현우,노도영,Lee Sung-pyo,Chang Hyun-woo,Noh Do-young 한국진공학회 2005 Applied Science and Convergence Technology Vol.14 No.3
실시간 x-선 산란기법을 이용해 p형 질화물 위에 성장된 $Ni(400\;\AA)/Au(400\;\AA)$ 박막의 공기 중에서 산화과정 동안 일러나는 구조적인 변화를 조사하였다. 350 "C의 열처리 온도에서 산화과정 동안 니켈과 금 박막들이 서로 섞인다는 것을 확인하였고 금의 회절 프로파일의 우측 부근에서 니켈의 양이 서로 다른 금 고용체의 새로운 상이 형성되는 것을 발견하였다. 또한, 이런 금 고용체에 포함된 니켈 원자는 산화가 더욱 진행함으로써 바깥쪽으로 확산하여 산소와 결합하여 NiO의 새로운 상이 형성되는 것을 알 수 있었다. $650^{\circ}C$의 열처리 온도에서는 완전히 산화가 일어났음에도 불구하고 금(111) 벌크 회절 프로파일에 소량의 니켈 원자가 포함되어 있음을 확인하였다. The structural evolution of $Ni(400\;\AA)/Au(400\;\AA)$ films on p-type GaN during thermal oxidation in ai. was investigated by in situ x-ray scattering experiments. These results indicate that Ni layer and Au layer intermix during thermal oxidation. Au-rich solid solutions containing the different amount of Ni atoms are formed during oxidation. The Ni atoms in Au-rich solid solution out-diffuse as the oxidation proceeds resulting in the formation of NiO(111) phase. Despite of the complete oxidation at $650^{\circ}C$, the position of bulk Au(111) diffraction profile indicates that small amount of Wi atoms are still incorporated in the Au phase.
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