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      • Semi-additive 방법을 이용한 연성회로기판 제작에 관한 연구

        李宰鎬,金大根 弘益大學校 科學技術硏究所 2005 科學技術硏究論文集 Vol.16 No.-

        COF(Chip on Film) which is used of various electronic products, is tending increase its demand due to light and thin products. At present, the manufacturing process of COF usually is used of subtractive method which deposited copper on polyimide film. However the width of line is smaller, the subtractive method has a lateral etching problems. In semi-additive method, copper line is fabricated by lithographic technique followed by electroplating method. Fine line patterns 10~40㎛ were used for this study. Two different types of thick photoresist were used. Fine copper lines were fabricated by electroplating method. The high residual stress caused the crack development in fine lines and then the low residual stress bath was used sacrificing the electroplating rate.

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