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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저자 : 흑주일재 (검색결과 1 건)
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        MoSi2 의 저온 산화 피막 생성 거동

        윤재홍,이영생,흑주일재,구야순일,고교영명 대한금속재료학회(대한금속학회) 2000 대한금속·재료학회지 Vol.38 No.4

        MoSi₂ is a very promising high temperature structure material for its excellent oxidation resistance and mechanical properties at high temperatures with relatively low weight. For the extensive use of MoSi₂, however, problems such as pesting, disintegration of MoSi₂ during oxidation, should be taken care of. The initial step of posting in MoSi₂ is reported to occur by a simultaneous oxidation of Mo and Si, with some variation on the oxidation temperature. To investigate the posting in MoSi₂, this study focused on the simultaneous oxidation temperature of Mo and Si and the nucleation and growth of oxides formed at 593∼793 K. In this study, MoSi₂ was produced by spark plasma sintering(SPS) and then oxidized at 593∼1093K. The simultaneous oxidation of Mo and Si took place below 893 K while selective oxidation of Si occurred above 993 K. The weight gain of MoSi₂ was the highest at about 693 K. SEM analyses of the specimens oxidated at 693 K showed a lot of MoO₃, most of which were believed to be preicipitated at or around defects in matrix including SiO₂ particles.

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