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TFT LCD 제조용 대면적 Magnetron Sputtering 장치 설계와 Al 성장막 특성 조사
유운종(W. J. Yoo),현광수(K. S. Hyun),이재선(J. S. Lee),최원성(W. S. Choi),민병희(B. H. Min),연충규(C. K. Yon),표재확(J. H. Pyo),황기웅(K. W. Whang) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.4
TFT LCD(thin film transistor liquid crystal display) 금속화 박막제조를 위한 sputtering 장치 구성시에 대면적 기판에 박막의 균일도와 온도균일도, 진공용기내부에서의 sputtering 기체의 압력구배, 최저도달진공도, 기판 운송계의 이송의 안정성을 고려한다. 기판크기를 400×400 ㎜로 하여 sputtering source가 장착된 증착챔버, 기판을 증착전 RF 세척을 하고 온도를 200℃ 이상 상승을 위한 히탱챔버, 기판을 운송하는 운송계, (un)load lock 챔버로 구성하였다. 히터를 설계ㆍ제조하여 유리기판 위에서 온도균일도를 측정한 결과 250℃±5% 이내였고, 증착챔버의 최저도달진공도는 cryo 펌프로 24 시간 배기 후 1.8×10^(-7)torr였다. Sputtering source에 알루미늄 target를 장착시켜 알루미늄박막의 균일도, reflectivity, sheet resistance를 각각 측정하였다. Factors considered building the magnetron sputtering system for TFT LCD (thin film transistor liquid crystal display) metallization were thin film thickness uniformity, temperature uniformity and the pressure gradient of sputtering gas flow in vacuum chamber, base pressure, and the stability of the carrier moving. The system was consisted of a deposition chamber, a pre-heating chamber, a RF-precleaning chamber and a load/unload lock chamber. The system was designed to handle a substrate with dimension of 400 ×400 ㎜. The temperature uniformity of a heater table developed showed 250℃±5% accuracy on the substrate glass. A base pressure of 1.8×10^(-7)torr was obtained after 24 hours pumping with a cryo pump. After an aluminum target was installed in a sputtering source and the film was deposited on the glass, the uniformity, reflectivity and sheet resistance of the deposited film were measured.
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