http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
윤창선(C. S. Yoon),노정숙(J. S. Ro),정상조(S. J. Chung),진문석(M. S. Jin),박홍이(H. L. Park),송호준(H. J. Song),김화택(W. T. Kim) 한국진공학회(ASCT) 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.4
TlGaSe₂:Ho 결정에 대한 간접전이 에너지간격의 온도의존성은 각각 1차 상전이와 2차 상전이에 상당하는 100K와 108K에서 변칙특성을 보여주었다. TlGaSe₂:Ho 결정에서 Ho^(3+) 이온에 기인된 5^I_8→5^I_7과 5^I_8→5^F_5의 두 광학적 전이가 광흡수와 광전도도 스펙트라로부터 관측되었다. TlGaSe₂와 TiGaSe₂:Ho 결정의 열자극 전류로부터 고유결함과 Ho 불순물에 관련된 양공 덫을 발견하였다. The temperature dependence of the indirect energy gap of TlGaSe₂:Ho crystals showed anomalies at 100 K and 108 K corresponding to first-order and second-order phase transitions (PTI), respectively. Two optical transitions of 5^I_8→5^I_7 and 5^I_8→5^F_5 due to HO^(3+) ions are observed from optical absorption and photoconductivity spectra of TlGaSe₂:Ho crystals. From the thermally stimulated current (TSC) of TlGaSe₂ and TlGaSe₂:Ho crystals, hole traps related to the intrinsic defect and Ho impurity are observed.