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교류형 플라즈마 디스플레이용 MgO 박막의 조성변화에 따른 방전전압특성의 영향
손충용(Choongyong Son),조진회(Jinhui Cho),김락환(Rakhwan Kim),김정열(Jung-Yeul Kim),박종완(Jong-Wan Park) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.1
AC-PDF 용 표면 보호막 물질인 MgO 박막을 rf magnetron sputtering법으로 제작하고 박막의 조성비 변화가 PDP소자의 방전전압특성에 미치는 영향을 조사하였다. 증착시 산소함량비[O₂/(Ar+O₂)]가 0에서 0.1까지 증가함에 따라 MgO 박막은 (111) 방향에서 (200)방향으로 그 우선성장 결정방향이 변하였다. [O₂/(Ar+O₂)]가 0.1에서 조성비가 잘 일치하는 박막을 얻을 수 있었고, 입자 크기가 증가하였으며 수산화기(hydroxyl groups)의 오염도가 최소화 되었다. 조성비가 잘 일치할 경우 PDP 소자에서 표면 보호막으로 사용 되었을 때 소자의 구동전압이 최소화 되었다. MgO thin films were deposited on soda lime glass substrates by rf magnetron sputtering using a MgO target at various oxygen flow ratios in order to probe the relationship between MgO film properties and discharge characteristics. MgO films have a tendency to form microstructures with a preferred growth orientation of (200) with increasing oxygen flow ratio up to 0.1/O₂/(Ar+O₂). MgO film obtained at 0.1 [O₂/(Ar+O₂)] was found to be fully stoichiometric. The stoichiometric MgO film was observed to have relatively very clean surface and grains of large size and contain almost no hydroxyl group. The AC PDP with fully stoichiometric MgO film showed lower firing and sustain voltages than those with magnesium-rich or oxygen-rich MgO films, being largely attributed to the larger grain size and the minimized hydroxyl group.
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