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      저자 : 조용국(Y.-K. Joh) (검색결과 1 건)
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        입방형 탄화규소 박막의 적층 성장

        이경원(K.-W. Lee),유규상(K.-S. Yu),구수진(S.-J. Ku),김창균(C. G. Kim),고원용(W. Koh),조용국(Y.-K. Joh),김윤수(Y. Kim) 한국진공학회(ASCT) 1996 Applied Science and Convergence Technology Vol.5 No.2

        단일 선구 물질인 1, 3-디실라부탄을 사용하여 고진공 하의 온도 영역 900-1000℃에서 탄화규소 완충층이 형성된 Si(001) 기질 위에 입방형 탄화규소 박막을 적층 성장시켰다. 얻어진 탄화규소 박막의 화학량 론적 비, 양질의 결정성 및 표면 형태의 특성을 반사 고에너지 전자 회절, X선 광전자 분광법, X선 회절, X선 극점도, 주사 전자 현미경 및 투과 전자 현미경으로 확인하였다. 이들 결과로부터 단일 선구물질인 1, 3-디실라부탄이 입방 구조를 가지는 탄화규소 박막의 적층 성장에 적절한 물질임을 밝혔다. Epitaxial cubic silicon carbide films have been deposited on carbonized Si(001) substrates using the single precursor 1, 3-disilabutane in the temperature range 900-1000℃ under high vacuum conditions. The films grown were characterized by in situ RHEED, XPS, XRD, x-ray pole figure, SEM, and TEM. The results show that epitaxial cubic SiC films with smooth morphology and good crystallinity were formed in this temperature range. The single precursor 1, 3-disilabutane has been found suitable for the epitaxial growth of cubic SiC on Si(001) substrates.

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