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Ab initio Studies of GaN/SiC Interface
Lim, Hunhwa 경희대학교 자연과학종합연구원 1999 자연과학논문집 Vol.5 No.-
Ab initio 방법에 의해 GaN/SiC 계면에서 4가지 형태의 계명에 대한 총 에너지를 계산하였다. Si-N 및 C-Ga 사이에서는 강한 결합을, Si-Ga 및 C-N사이에서는 약한 결합이 형성됨을 보였으며 이들 결합에서 편극배합(polarity matching)이 결정적 역할을 함을 보였다. Ab initio total-energy caculations were used to investigate the GaN/SiC interfaces. Total energies of four types of interfaces were calculated. Strong binding for Si-N and C-Ga and very weak binding for Si-Ga and Ga-N interfaces were formed. In the initial stages of the constructing of GaN/SiC interfaces polarity matching plays a fundamental role in determining the low energy structures.
Atomic Forces in Scanning Tunneling Microscopy on Si(100) : From Weak to Intense Field 약한 장에서 강한 장까지
Lim, Hunhwa 慶熙大學校 1994 論文集 Vol.23 No.-
본 논문에서는 STM tip에 의해서 반도체 표면원자에 작용하는 Hellman-Feynman 힘을 계산하고 이로부터 반도체 표면에서의 전자구조를 결정하고 tip 에 적용되는 voltage에 따라 tip의 반도체표면에 대한 영향력을 조사하였다.
English title Electronic Band Structure of High-Tc Superconductors
Lim, Hunhwa 경희대학교 자연과학종합연구원 2000 자연과학논문집 Vol.6 No.-
Tl-Ba-Cu계 초전도체의 에너지밴드를 Tight-binding model로 계산하였다. 이들 결과로 Green함수를 결정하여 시료의 국소상태밀도 및 층상태 밀도를 계산하였다. 이를 통하여 시료내에서 초전도 특성의 물리적 기원을 추적하였다. Tight-binding calculation was used to investigate the electronic energy band of TI-Ba-Cu system superconducting. The Green's function of the sample in k-space was determined through the tight-binding parameters. The local and total density of states were calculated by the spectral representation of Green's function. The results of electronic-structure calculation for TI-Ba-Cu system provide insight concerning the origin of high-temperature superconductivity in TI-Ba-Cu system.
Electronic Structure of Si(111)-(7x7) Surfaces
Lim, Hunhwa 慶熙大學校 材料科學技術硏究所 1994 材料科學技術硏究論集 Vol.7 No.-
First principle ab initio 계산에 의한 Si(111)-7×7 표면의 재구조가 Takayanagi 등이 제안한 DAS model로 기술될 수 있음을 보였다. 표면의 unit cell 에서 short diagonal에 대한 asymmetry STM image를 얻었고 이는 다른 계산등과 일치되는 결과들임을 보일 수 있었다.
Electronic Properties of High-T_(c) Superconductors
Lim, Hunhwa 慶熙大學校 材料科學技術硏究所 1996 材料科學技術硏究論集 Vol.9 No.-
Tight-binding model로 Green 함수를 결정하여 고온초전도체의 국소 및 총 상태밀도를 계산하였다. 이를 통해 YBa_(2)Cu_(3)O_(7) 시료에서 원자의 치환에 의한 전자적 특성 변화를 계산하였다. 계산결과는 초전도 특성에 대한 실험결과와 일치됨을 보이고 예상되는 화학적 특성과 일치되는 결과를 얻었다.
Electronic States of Hydrogen Adsorption on the Si(111)-(7×7) Surface
Lim, Hun-Hwa 慶熙大學校 材料科學技術硏究所 1999 材料科學技術硏究論集 Vol.12 No.-
Total-energy pseudopotential 계산에 의해 Si(111)-(7×7) 표면상에서 수소원자의 dangling bond 사이의 흡착상호 작용을 조사하였다. 수소원자의 흡착에 따른 속박에너지는 약 2.8 eV 이었고, 흡착에 따른 국소적 기하학적 모양의 완화(relaxation)는 무시할 정도로 적었다. 국소 상태 밀도에 의한 전자구조의 분석에 따르면 흡착에너지의 커다란 변화는 (7×7) 표면의 완화에 따른 기하학적 모양의 변화에 의한 결과가 아니라 수소흡착에 따른 전자구조의 변화에 기인됨을 보였다.
Ab initio Total Energy Calculation and Electronic Structure of UO_(2)
Lim, Hunhwa,Park, Kwangheon,Yun, Younsuk,Song, Kun Woo 경희대학교 자연과학종합연구원 2002 자연과학논문집 Vol.8 No.-
Actinide계 원자나 화합물에서 5f 전자의 행위는 매우 매력적인 주제중의 하나이다. 우리는 fluorite구조에서 5f상태의 효과가 나타나는 UO_(2)를 시료로 택했다. 우리는 두 가지의 전형적인 이론적인 방법인 tight-binding 방법과 ab initio pseudopotential방법을 택하여 UO_(2)의 전자구조를 계산하였고, 이들 시료에서 5f 상태의 역할을 추적 하였다. 여기서 우리가 주로 보고자 하였던 것은 화학결합과정에서 전하의 이동과 공유성과의 상관성을 추적하는데 있다. 계산결과에 의하면, 이온결합으로 알려진 UO_(2)에서 약 30%의 공유결합성을 보였고, 따라서 이들 공유결합성은 시료의 전자구조, 전기 전도도등에 결정적 역할을 하리라 기대된다. The behavior of the 5f states in the actinide atoms and compounds is one of the most fascinating subjects. We have taken uranium dioxide UO_(2) as an example for our investigation, where uranium with a partially filled 5f shell should show the effects of 5f states within fluorite-structured phase. We calculated the electronic structure of UO_(2) by using both two theoretical approaches, tight-binding method and ab initio pseudopotential calculation method, and investigated the role of 5f states in the uranium dioxide. Here we wish to stress the general point, namely, that there is a close connection between the nature of charge transfer in the chemical bonding and covalency. The sample is known as a strong ionic material. However our results show that there are some covalency of about 30%. Thus we expect that the covalency make a critical role in the electronic properties and conductivity of UO_(2).
Electronic Structure of High-Tc Superconductors
Hwang, Hyung-Joon,Lim, Hunhwa 慶熙大學校 材料科學技術硏究所 1994 材料科學技術硏究論集 Vol.7 No.-
High-Tc 초전도체인 Tl_(2)Ba_(2)CuO_(6), Bi_(2)Sr_(2)CuO_(3), Tl_(2)CaBa_(2)Cu_(2)O_(8), Tl_(2)HgCaBa_(2)Cu_(2)O_(8), TiPbCaBa_(2)Cu_(2)O_(8), 등에 대한 전자적 에너지 band를 반경험적 tight-binding model로써 계산하였다. 이 tight-binding parameters (fully transferable)로 Green's function을 결정하여, local 및 total 상태밀도를 계산함으로써 다른 방법에 의한 계산 결과와 완전히 일치하는 결과를 얻을 수 있었다. 이로부터 CuO_(2)평면내에서 ionic, metallic behavior, charge transfer mechanism을 조사하여 고온 초전도성의 물리적 model을 추적할 수 있으리라고 본다.
Electronic Properties of La214 System
Ko, Boung-Kwon,Lim, Hunhwa 慶熙大學校 材料科學技術硏究所 1995 材料科學技術硏究論集 Vol.8 No.-
LACO 방법에 의해 La 구리산화물계 초전도체(La214계)에 대한 에너지 밴드 구조를 La 원자의 s, d 궤도, O 원자의 s, p 궤도 그리고 Cu 원자의 s, d 궤도를 이용하여 계산했다. Green 함수를 결정하여 총상태밀도와 국부상태밀도를 계산했다. Fermi 에너지 준위 부근의 원자가 밴드와 상태밀도로부터 Cu-O층의 전자 전이에 대한 메카니즘을 추적하였다.