Ab initio Studies of GaN/SiC Interface = GaN/SiC 계면에 대한 Ab initio 연구

국문 초록 (Abstract)

Ab initio 방법에 의해 GaN/SiC 계면에서 4가지 형태의 계명에 대한 총 에너지를 계산하였다. Si-N 및 C-Ga 사이에서는 강한 결합을, Si-Ga 및 C-N사이에서는 약한 결합이 형성됨을 보였으며 이들 결합에서 편극배합(polarity matching)이 결정적 역할을 함을 보였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Ab initio total-energy caculations were used to investigate the GaN/SiC interfaces. Total energies of four types of interfaces were calculated. Strong binding for Si-N and C-Ga and very weak binding for Si-Ga and Ga-N interfaces were formed. In the initial stages of the constructing of GaN/SiC interfaces polarity matching plays a fundamental role in determining the low energy structures.