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액상결정성장에 의한 InGaAsP / InP MQW - LD 제작에 관한 연구
조호성(Ho-Sung Cho),홍창희(Tchang-Hee Hong),오종환(Jong-Hwan Oh),예병덕(Byeong-Deok Yea),이중기(Jung-Gee Lee) 한국광학회 1992 한국광학회지 Vol.3 No.4
본 연구에서는 수직형 LPE장치를 이용하여 InGaAsP/InP MQW-DG웨이퍼를 성장하고 10 ㎛ stripe MQW-LD를 제작하였다. 공진기 길이 470 ㎛ LD의 경우 이득스펙트럼 중심파장은 1.32㎛였다. 발진 파장은 1.302 ㎛로써 양자우물두께 300 Å의 이득중심에 해당한다는 사실을 알 수 있었다. In this study, InGaAsP/InP MQW-DH wafer was grown by a vertical type LPE system and 10 ㎛ stripe MQW-LD was fabricated with the wafer. The threshold current was about 200 ㎃ and when the cavity length of the LD was 470 ㎛ the central wavelength of gain spectra was 1.32 ㎛ the lasing wavelength was 1.302 ㎛ which corresponded to the gain center of the quantum well thickness of 300 Å.