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- 저자 : 이성구(Seongku Lee) (검색결과 2 건)
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WLAN 및 Mobile WiMAX를 위한 2.3-2.7 ㎓ 대역 이중모드 CMOS RF 수신기
이성구(Seongku Lee),김종식(Jongsik Kim),김영조(Youngcho Kim),신현철(Hyunchol Shin) 大韓電子工學會 2010 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.47 No.3
IEEE 802.11n 기반 무선 LAN과 IEEE 802.16e 기반 Mobile WiMAX에 적용할 수 있는 이중모드 직접 변환 수신기를 0.13 ㎛ RF CMOS 공정을 이용하여 설계하였다. 설계된 직접 변환 수신기는 2.3-2.7 ㎓의 주파수 범위에서 동작을 한다. 저잡음 증폭기에 Current Steering 기술을 사용하여 전체 이득의 크기를 3 단계로 조절이 가능하게 하였다. 플리커 잡음 영향을 낮추기 위해 믹서에 Current Bleeding 기술을 사용하였다. 믹서 LO를 위한 I/Q 위상 신호 발생을 위해 주파수 2-분주회로를 포함하였다. 제작된 직접 변환 수신기는 1.4 V의 공급 전원에서 LO 버퍼를 포함하여 56 mA를 사용하며, 32 ㏈의 전력이득과 4.8 ㏈의 잡음지수, 그리고 +6 ㏈m의 출력 P<SUB>1㏈</SUB>를 가진다. A dual-mode direct conversion receiver is developed in 0.13 ㎛ RF CMOS process for IEEE 802.11n based wireless LAN and IEEE 802.16e based mobile WiMAX application. The RF receiver covers the frequency band between 2.3 and 2.7 ㎓. Three-step gain control is realized in LNA by using current steering technique. Current bleeding technique is applied to the down-conversion mixer in order to lower the flicker noise. A frequency divide-by-2 circuit is included in the receiver for LO I/Q differential signal generation. The receiver consumes 56 mA at 1.4 V supply voltage including all LO buffers. Measured results show a power gain of 32 ㏈, a noise figure of 4.8 ㏈, a output P<SUB>1㏈</SUB> of +6 ㏈m over the entire band.
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3GPP LTE를 위한 다중대역 90㎚ CMOS 저잡음 증폭기의 설계
이성구(Seongku Lee),신현철(Hyunchol Shin) 大韓電子工學會 2010 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.47 No.5
3GPP LTE (3rd Generation Partner Project Long Term Evolution)에 적용할 수 있는 다중대역 저잡음 증폭기를 90 ㎚ RF CMOS 공정을 이용하여 설계하였다. 설계된 다중대역 저잡음 증폭기는 1.85-2.8 ㎓ 주파수 범위내의 8개 대역으로 분리돼서 동작하며, 다중대역에서의 성능 최적화를 위해 증폭기 입력단에 다중 캐패시터 어레이를 이용하여 대역에 따른 조정이 되도록 하였다. 입력 신호의 변화에 따른 증폭기의 포화를 방지하기 위해 Current Steering을 이용한 바이패스 모드를 구현하였다. 설계된 저잡음 증폭기는 1.2 V의 공급 전원에서 17 ㎃를 소모한다. RF 성능은 PLS (Post Layout Simulation)을 통해 검증하였다. 정상상태에서 전력이득은 26 ㏈, 바이패스모드에서의 전력이득은 0 또는 -6.7 ㏈를 얻었다. 또한, 잡음지수는 1.78 ㏈, IIP3는 최대 이득 일 때 -12.8 ㏈m을 가진다. A multi-band low noise amplifier (LNA) is designed in 90 ㎚ RF CMOS process for 3GPP LTE (3rd Generation Partner Project Long Term Evolution) applications. The designed multi-band LNA covers the eight frequency bands between 1.85 and 2.8 ㎓. A tunable input matching circuit is realized by adopting a switched capacitor array at the LNA input stage for providing optimum performances across the wide operating band. Current steering technique is adopted for the gain control in three steps. The performances of the LNA are verified through post-layout simulations (PLS). The LNA consumes 17 ㎃ at 1.2 V supply voltage. It shows a power gain of 26 at the normal gain mode, and provides much lower gains of 0 and -6.7 in the bypass-I and -II modes, respectively. It achieves a noise figure of 1.78 ㏈ and a IIP3 of -12.8 ㏈m over the entire band.
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