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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저자 : 이규왕(K.-W. Lee) (검색결과 1 건)
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        펄스레이저증착에 의한 투명전도성 산화주석 박막

        윤천호(C. Yoon),박성진(S.-J. Park),이규왕(K.-W. Lee) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.2

        투명전도성 산화주석 박막이 펄스레이저증착에 의하여 파이렉스유리 기판상에 제조되었다. 진공, O₂ 및 Sn(CH₃)₄ 분위기에서 Nd-YAG 레이저 빛살이 다결정 SnO₂ 타켓을 융제하여 실온에서 기판상에 박막을 증착시키고, 증착된 막을 230, 420, 및 610℃에서 각각 2시간 동안 공기중에서 열처리하였다. 박막의 특성이 UV-VIS-NIR 분광법와 X-선 회절법에 의하여 조사되고, 전기적 성질이 촉심식법으로 구해진 막의 두께와 함께 사점 탐침법에 의하여 측정되었다. Sn(CH₃)₄이 존재할 때 SnO₂ 상들이 실온에서조차 성장되는 것이 관찰되었다. 이는 레이저 융제 동안 발생된 마이크로플라즈마가 전구물질분자의 분해에 중요한 역할을 함을 시사한다. The transparent conducting thin films of tin oxides were prepared on pyrex glass substrates by the pulse laser deposition. In the atmospheres of vacuum, O₂ and Sn(CH₃)₄ a polycrystalline SnO₂ target was ablated by Nd-YAG laser beam to deposit thin films on the substrates at room temperature, and as-deposited films were subsequently heat-treated in the air for 2 h at 230, 420 and 610℃, respectively. The characteristics of the thin films were examined by UV-VIS-NIR spectrometry and X-ray diffractometry, and the electrical properties were measured by four-point probe method along with film thickness monitored by the stylus method. It was observed that in the presence of Sn(CH₃)₄ SnO₂ phases were grown even at room temperature. This suggests that the microplasma produced during the laser ablation plays an important role in the dissociation of precursor molecules.

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