http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
RISS 인기검색어
- 검색키워드
- 저자 : 양준원 (검색결과 43 건)
- 무료
- 기관 내 무료
- 유료
-
N형 실리콘 제어 정류기 소자의 구조 변형을 통한 정전기 보호성능의 향상에 대한 연구
양준원,서용진 사단법인 한국위성정보통신학회 2013 한국위성정보통신학회논문지 Vol.8 No.4
An electrostatic discharge (ESD) protection device, so called, N-type SCR with P-type MOSFET pass structure (NSCR_PPS),was analyzed for high voltage I/O applications. A conventional NSCR_PPS device shows typical SCR-like characteristicswith extremely low snapback holding voltage, which may cause latch-up problem during normal operation. However, amodified NSCR_PPS device with counter pocket source(CPS) and partial p-type well(PPW) structure demonstrates highlylatch-up immune current-voltage characteristics. PPS 구조가 삽입된 N형 실리콘 제어 정류기 소자를 마이크로 칩의 고전압 I/O 응용을 위해 연구하였다. 종래의 NSCR_PPS_Std표준소자는 매우 낮은 스냅백 홀딩 전압을 갖는 전형적인 SCR 특성을 가지고 있어 정상적인 동작 동안 래치업 문제가 나타나는것으로 보고되고 있다. 그러나 본 연구에서 제안하는 CPS 및 부분적으로 형성된 P-Well(PPW) 구조를 갖는 변형된NSCR_PPS_CPS_PPW 소자는 높은 래치업 면역과 트리거링 전압의 조절이 용이한 안정한 ESD 보호 성능을 나타내어 고전압 동작용 마이크로 칩의 정전기보호 소자로 적용 가능함을 확인하였다.
-
양준원 대불대학교 2002 論文集 Vol.8 No.1
The problem of radiated emission from printed circuit boards is serious topic. Trace on the printed circuit board has a quite similar behavior as one for microstrip line used in a microwave region. The coupling problem of external waves to transmission line has been studied by using transmission-line theory. The radiation problems is considered to be in a reciprocal relationship between both problems. Therefore, the radiation problems is reciprocal theory. The coupling for microstrip lines can be predicted by studying electromagnetic fields propagation inside the dielectric substrate. the experimental results for the radiation are good agreement whit the predicted.
-
NESCR 소자에서 정전기 보호 성능 향상을 위한 최적의 P-Well 구조 설계
양준원,서용진 사단법인 한국위성정보통신학회 2014 한국위성정보통신학회논문지 Vol.9 No.3
An electrostatic discharge (ESD) protection device, so called, N-type embedded silicon controlled rectifier (NESCR), wasanalyzed for high voltage operating I/O applications. A conventional NESCR standard device shows typical SCR-likecharacteristics with extremely low snapback holding voltage, which may cause latch-up problem during normal operation. However, our modified NESCR_CPS_PPW device with proper junction/channel engineering such as counter pocket source(CPS) and partial P-well structure demonstrates highly latch-up immune current-voltage characteristics with high snapbackholding voltage and on-resistance. NESCR 구조의 정전기 보호소자가 고전압 동작용 I/O 응용을 위해 분석되었다. 기존의 NESCR 표준소자는 매우 낮은 스냅백 홀딩전압을 갖는 전형적인 SCR 특성을 나타내므로 정상적인 동작 동안 래치업 문제를 초래한다. 그러나 본 연구에서 제안하는 CPS및 부분적으로 형성된 P-well 구조를 갖는 NESCR_CPS_PPW 변형소자는 높은 온-저항과 스냅백 홀딩 전압을 나타내어 래치업면역 능력을 향상시킬 수 있었다.
-
PPS 소자가 삽입된 N형 SCR 소자에서 부분웰 구조가 정전기보호 성능에 미치는 영향
양준원,서용진 사단법인 한국위성정보통신학회 2014 한국위성정보통신학회논문지 Vol.9 No.4
Electrostatic Discharge(ESD) protection performance of PPS(PMOS pass structure) embedded N-type silicon controlledrectifier(NSCR_PPS) device with different partial p-well(PPW) structure was discussed for high voltage I/O applications. Aconventional NSCR_PPS standard device shows typical SCR-like characteristics with low on-resistance, low snapbackholding voltage and low thermal breakdown voltage, which may cause latch-up problem during normal operation. However,our proposed NSCR_PPS devices with modified PPW demonstrate the stable ESD protection performance with high latch-upimmunity. PPS 구조를 갖는 N형 실리콘 제어 정류기 소자에서 부분웰 구조가 정전기 보호 성능에 미치는 영향을 고찰하였다. 종래의 NSCR표준소자는 온-상태 저항, 스냅백 홀딩 전압 및 열적 브레이크다운 전압이 너무 낮아 정전기 보호소자의 필요조건을 만족시키지못해 적용이 어려웠으나, 본 연구에서 제안하는 부분웰 구조를 갖도록 변형 설계된 NSCR-PPS 소자는 안정한 정전기보호 성능을나타내어 고전압 동작용 마이크로 칩의 정전기보호 소자로 적용 가능함을 확인하였다.
-
양준원 대불대학교 2001 論文集 Vol.7 No.1
A multiplates : low profile antenna has wide-band characteristics. No theoretical analysis has been on the multiplates antenna of it's complicated structure. In this paper, kanae type antenna was studied using FDTD method. The calculated band width of this antenna is 55.6%(VSWR<2.0) and the sizeble reduction ratio is 0.0122. The radiation pattern is null in the upper side and omni-directional in the horizontal direction.
-
Multiplates : Low profile Antennas
양준원 대불대학교 1999 論文集 Vol.5 No.1
이동통신이나 위성통신에서 사용되는 송수신 장치는 날로 발전되어 가고 있으며 그것을 구성하는 장비들은 경량화, 소형화, 고성능화를 추구하고 있는 실정이다. 송수신 장치중 하나인 안테나 또한 이러한 요구를 만족해야 할 필요성이 높아지고 있다. 위의 조건을 만족하는 안테나의 하나로서 낮은 높이(低姿勢)와 輕量이면서 광대역의 대역폭의 특징을 가진 積層板狀안테나가 있다. 이 안테나는 2층의 평행평판으로 구성하여, 각 평판 사이의 공간에서 복수의 공진을 발생시켜 광대역화를 실현시킨 안테나이다. 그러나 평판 안테나의 해석 측면에 눈을 돌려보면 평판상의 전류분포를 구해야하는 어려움이 있어 기존의 해석방법으로는 그 해석 예를 찾아보기 어렵다. 근대에 들어 전자계해석의 신기원이라 할 수 있는 새로운 해석법으로 FDTD법이 소개되고 있고, 컴퓨터의 발전과 더불어 전자계, 안테나해석법으로서 자리 매김을 하고 있다. 따라서 본 논문에서는 FDTD법을 이용하여 적층판상 안테나를 해석함으로써 안테나의 동작을 보다 분명하게 규명하고, 실제적으로 안테나를 제작 실험하여 그 해석의 타당성을 증명하고 있다.
-
DDIC 칩의 정전기 보호 소자로 적용되는 GG_EDNMOS 소자의 고전류 특성 및 더블 스냅백 메커니즘 분석
양준원,김형호,서용진 통신위성ㆍ우주산업연구회 2013 한국위성정보통신학회논문지 Vol.8 No.2
본 논문에서는 고전압에서 동작하는 DDIC(display driver IC) 칩의 정전기 보호소자로 사용되는 GG_EDNMOS 소자의 고전류 특성 및 더블 스냅백 메커니즘이 분석되었다. 이온주입 조건을 달리하는 매트릭스 조합에 의한 수차례의 2차원 시뮬레이션 및 TLP 특성 데이타를 비교한 결과, BJT 트리거링 후에 더블 스냅백 현상이 나타났으나 웰(well) 및 드리프트(drift) 이온주입 조건을 적절히 조절 함으로써 안정적인 ESD 보호성능을 얻을 수 있었다. 즉, 최적의 백그라운드 캐리어 밀도를 얻는 것이 고전압 동작용 정전기보호소 자의 고전류 특성에 매우 중요한 영향을 주는 임계인자(critical factor)임을 알 수 있었다.
-
PMOS 소자가 삽입된 부분웰 구조의 N형 SCR 소자에서 정전기 보호 성능 향상을 위한 최적의 CPS 이온주입에 대한 연구
양준원,서용진 한국위성정보통신학회 2015 한국위성정보통신학회논문지 Vol.10 No.4
PPS 소자가 삽입된 부분웰 구조의 N형 실리콘 제어 정류기(NSCR_PPS) 소자에서 정전기 보호 성능의 향상을 위한 CPS 이온주입 조건의 최적화에 대해 연구하였다. 종래의 NSCR 표준소자는 on-저항, 스냅백 홀딩 전압 및 열적 브레이크다운 전압이 너무 낮아 정전기 보호소자의 필요조건을 만족시키지 못해 적용이 어려웠으나, 본 연구에서 제안하는 CPS 이온주입과 부분웰 이온주입을 동시에 적용한 변형 설계된 소자의 경우 스냅백 홀딩 전압을 동작전압 이상으로 증가시킬 수 있는 향상된 정전기 보호성능을 나타내어 고전압 동작용 마이크로 칩의 정전기보호 소자로 적용 가능함을 확인하였다 The ESD(electrostatic discharge) protection performance of PPS(PMOS pass structure) embedded N-type silicon controlled rectifier(NSCR_PPS) device with different partial p-well(PPW) structure was discussed for high voltage I/O applications. A conventional NSCR_PPS standard device shows typical SCR-like characteristics with low on-resistance, low snapback holding voltage and low thermal breakdown voltage, which may cause latch-up problem during normal operation. However, our proposed NSCR_PPS devices with modified PPW_PGM(primary gate middle) and optimal CPS(counter pocket source) implant demonstrate the stable ESD protection performance with high latch-up immunity.
-
-
고전압용 LDI 칩의 정전기 보호를 위한 EDNMOS 소자의 특성 개선
양준원,서용진 통신위성ㆍ우주산업연구회 2012 한국위성정보통신학회논문지 Vol.7 No.2
본 논문에서는 ESD 방지를 위한 최적 방법론에 목표하여 확장된 드레인을 갖는 EDNMOS 소자의 더블 스냅백 현상 및 백그라운도핑 농도 (BDC)의 영향을 조사하였다. 고전류 영역에서 낮은 BDC를 가진 EDNMOS 소자는 강한 스냅백으로 인해 취약한 ESD 성능과 높은 래치업 위험을 가지게 되나, 높은 BDC를 가진 EDNMOS 소자는 스냅백을 효과적으로 방지할 수 있음을 알 수 있었다. 따라서 BDC 제어로 안정적인 ESD 방지 성능과 래치업 면역을 구현할 수 있음을 밝혔다.
eArticle연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
